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IRF530NPBF 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 18:50:43 查看 閱讀�27

IRF530NPBF 是一款由 Vishay 提供� N 灃道 場效應晶體管(N-Channel MOSFET�,采� TO-220 封裝形式。這款器件廣泛應用于開關電源、電機驅�、逆變器以及音頻功率放大器等應用領域。其高效率和低導通電阻使其成為許多電路設計中的理想選��
  IRF530NPBF 的特點是具有較低� Rds(on) 和較高的漏極電流承載能力,同時支持較寬的工作電壓范圍。此�,該器件還具備快速開關速度和低柵極電荷特�,從而能夠有效降低開關損��

參數

最大漏源電�(Vdss)�100V
  最大漏極電�(Id)�14A
  導通電�(Rds(on))�0.16Ω
  柵極電荷(Qg)�6.5nC
  連續(xù)漏極電流�7.8A
  功�(PD)�109W
  結溫范圍�-55°C � 150°C
  封裝類型:TO-220

特�

IRF530NPBF 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可� 100V,適用于多種高壓應用場景�
  2. 較低的導通電阻(Rds(on)�,僅� 0.16Ω,有助于減少傳導損��
  3. 快速開關速度,結合低柵極電荷特�,可以有效降低開關損��
  4. 良好的熱性能,支持高� 150°C 的結溫操�,提高了可靠性和耐用��
  5. TO-220 封裝提供出色的散熱性能,便于安裝在散熱片上以進一步提高功率處理能��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��

應用

IRF530NPBF 常用于以下應用領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元件�
  2. 電機驅動電路中的電子開關�
  3. 各類逆變器電路中的關鍵功率轉換元件�
  4. 音頻功率放大器中的輸出級元件�
  5. 電池保護電路中的負載切換開關�
  6. LED 驅動電路中的電流調節(jié)元件�
  由于其高性能和可靠�,IRF530NPBF 成為眾多功率電子應用的理想選擇�

替代型號

IRF530N, IRF530BPBF

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irf530npbf參數

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 9A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds920pF @ 25V
  • 功率 - 最�70W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF530NPBF