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IRF5305PBF 發(fā)布時間 時間�2024/7/22 14:20:52 查看 閱讀�368

IRF5305PBF是一款N溝道MOSFET晶體�,屬于IRF系列�(chǎn)�。該器件在最大漏極電壓為55V和最大漏極電流為31A的情況下,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。IRF5305PBF適用于高效能電源電路、電動工具、電機驅(qū)動等�(lǐng)��
  IRF5305PBF是一種N溝道MOSFET晶體管,其工作原理是通過控制門極電壓來控制漏極電流的流�。當(dāng)門極電壓大于閾值電壓時,MOSFET處于�(dǎo)通狀�(tài),漏極電流流過晶體管;當(dāng)門極電壓小于閾值電壓時,MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài),漏極電流為��

基本�(jié)�(gòu)

IRF5305PBF的基本結(jié)�(gòu)由源極、漏極和門極組�,其中源極和漏極之間的N型溝道是主要的電流通道。門極和溝道之間的氧化物層(Gate Oxide)是控制溝道電阻的關(guān)�。當(dāng)門極電壓增�,溝道電阻降�,漏極電流增�,從而實�(xiàn)控制�

參數(shù)

1、最大漏極電壓:55V
  2、最大漏極電流:31A
  3、典型導(dǎo)通電阻:0.042Ω
  4、門極電壓范圍:±20V

特點

1、低�(dǎo)通電�,高效能
  2、快速開�(guān)特性,適用于高頻應(yīng)�
  3、適用于高溫�(huán)境下的應(yīng)�
  4、具有過溫保�(hù)功能

工作原理

IRF5305PBF是一種N溝道MOSFET晶體�,其工作原理是通過控制門極電壓來控制漏極電流的流�。當(dāng)門極電壓大于閾值電壓時,MOSFET處于�(dǎo)通狀�(tài),漏極電流流過晶體管。當(dāng)門極電壓小于閾值電壓時,MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài),漏極電流為��

�(yīng)�

IRF5305PBF適用于高效能電源電路、電動工�、電機驅(qū)動等�(lǐng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其適用于高頻�(yīng)��

安裝要點

IRF5305PBF是一款常用的N溝道MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)、汽車電子等�(lǐng)�。在安裝和使用時,需要注意以下要點:
  1、接線:將源極接地,漏極接負(fù)�,柵極接控制信號�
  2、散熱:MOSFET晶體管在工作時會�(chǎn)生熱量,需要適�(dāng)散熱??梢赃x擇散熱片或者將晶體管安裝在散熱板上,確保散熱效果良��
  3、靜電保�(hù):MOSFET晶體管對靜電敏感,需要在安裝和使用時注意靜電保護(hù)??梢栽诮泳€前先接地,使用靜電手�(huán)等靜電保�(hù)措施�

irf5305pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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irf5305pbf資料 更多>

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irf5305pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C31A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 16A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最�110W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF5305PBF