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IRF3205 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/7/18 17:58:57 查看 閱讀�642

描述

IR的HEXFET功率場效�(yīng)管IRF3205采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通阻�。IRF3205是一�(gè)高電流N溝道MOSFET能夠切換電流高達(dá)110A�55V。MOSFET的特長在于它的導(dǎo)通電阻非常低,僅�8.0mΩ,使其適用于諸如逆變器,電機(jī)速度控制,DC-DC�(zhuǎn)換器等開�(guān)電路。它還是一種易于獲得且�(jià)格低廉的MOSFET�


TO-220封裝的IRF3205普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)�(yīng)�,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF3205得到�(yè)�(nèi)的普遍認(rèn)�。D2Pak封裝的IRF3205適用于貼片安�,比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝,可說是功率最高,�(dǎo)通阻抗最�。TO-262是IRF3205的通孔安裝版,適合較低端的�(yīng)��

�(chǎn)品圖�

IRF3205

IRF3205

�(guī)格參�(shù)

�(chǎn)品型�

IRF3205

制造商

International Rectifier

制造商包裝說明

TO-220AB�3�

符合REACH

雪崩能量等級(Eas)

264.0兆焦�

組態(tài)

單頭�(nèi)置二極管

最大漏極電�(Abs)(ID)

98.0�

最大漏極電�(ID)

75.0�

最大電阻下的漏�

0.008歐姆

DS擊穿電壓-最小�

55.0�

場效�(yīng)管技�(shù)

金屬氧化物半�(dǎo)�

JEDEC-95代碼

TO-220AB

JESD-30代碼

R-PSFM-T3

JESD-609代碼

00

元素?cái)?shù)

1.0

端子�(shù)

3

操作模式

增強(qiáng)模式

最高工作溫�

175�

包裝主體材料

塑料/�(huán)氧樹�

包裝形狀

長方�

包裝形式

法蘭安裝

峰值回流溫�(�)

225

極�/通道類型

N通道

功耗環(huán)境最大�

150.0�

最大功率耗散(Abs)

150.0�

脈沖漏極電流最大�(IDM)

390.0�

子類�

FET通用電源

終端完成

�/�(Sn / Pb)

終端表格

貫穿�

終端位置

�(shí)間@峰值回流溫�-最大�(�)

30

晶體管應(yīng)�

交換

晶體管元件材�

特點(diǎn)

  • N溝道功率MOSFET

  • �(dāng)VGS�10V�(shí),連續(xù)漏極電流(ID)�110A

  • 最小柵極閾值電�2V

  • 漏極至源極擊穿電壓:55V

  • �(dǎo)通電阻低�8.0mΩ

  • 柵極-源極電壓(VGS)為�20V

  • 上升�(shí)間為101ns

  • 通常用于電源開關(guān)電路

  • 采用To-220封裝

�(yīng)用領(lǐng)�

  • 切換�(yīng)�

  • 升壓�(zhuǎn)換器

  • 斬波�

  • 太陽能逆變�

  • 速度控制

引腳�

封裝

IRF3205封裝

IRF3205封裝

替代型號

IRF1405,IRF1407,IRF3305,IRFZ44N,IRFB3077,IRFB4110

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  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

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  • IRF3205
  • Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mo...
  • IRF [Int...
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