IR的HEXFET功率場效�(yīng)管IRF3205采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通阻�。IRF3205是一�(gè)高電流N溝道MOSFET能夠切換電流高達(dá)110A�55V。MOSFET的特長在于它的導(dǎo)通電阻非常低,僅�8.0mΩ,使其適用于諸如逆變器,電機(jī)速度控制,DC-DC�(zhuǎn)換器等開�(guān)電路。它還是一種易于獲得且�(jià)格低廉的MOSFET�
TO-220封裝的IRF3205普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)�(yīng)�,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF3205得到�(yè)�(nèi)的普遍認(rèn)�。D2Pak封裝的IRF3205適用于貼片安�,比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝,可說是功率最高,�(dǎo)通阻抗最�。TO-262是IRF3205的通孔安裝版,適合較低端的�(yīng)��
IRF3205
�(chǎn)品型� | IRF3205 |
制造商 | International Rectifier |
制造商包裝說明 | TO-220AB�3� |
符合REACH | � |
雪崩能量等級(Eas) | 264.0兆焦� |
組態(tài) | 單頭�(nèi)置二極管 |
最大漏極電�(Abs)(ID) | 98.0� |
最大漏極電�(ID) | 75.0� |
最大電阻下的漏� | 0.008歐姆 |
DS擊穿電壓-最小� | 55.0� |
場效�(yīng)管技�(shù) | 金屬氧化物半�(dǎo)� |
JEDEC-95代碼 | TO-220AB |
JESD-30代碼 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代碼 | 00 |
元素?cái)?shù) | 1.0 |
端子�(shù) | 3 |
操作模式 | 增強(qiáng)模式 |
最高工作溫� | 175� |
包裝主體材料 | 塑料/�(huán)氧樹� |
包裝形狀 | 長方� |
包裝形式 | 法蘭安裝 |
峰值回流溫�(�) | 225 |
極�/通道類型 | N通道 |
功耗環(huán)境最大� | 150.0� |
最大功率耗散(Abs) | 150.0� |
脈沖漏極電流最大�(IDM) | 390.0� |
子類� | FET通用電源 |
終端完成 | �/�(Sn / Pb) |
終端表格 | 貫穿� |
終端位置 | � |
�(shí)間@峰值回流溫�-最大�(�) | 30 |
晶體管應(yīng)� | 交換 |
晶體管元件材� | � |
N溝道功率MOSFET
�(dāng)VGS�10V�(shí),連續(xù)漏極電流(ID)�110A
最小柵極閾值電�2V
漏極至源極擊穿電壓:55V
�(dǎo)通電阻低�8.0mΩ
柵極-源極電壓(VGS)為�20V
上升�(shí)間為101ns
通常用于電源開關(guān)電路
采用To-220封裝
切換�(yīng)�
升壓�(zhuǎn)換器
斬波�
太陽能逆變�
速度控制
IRF3205封裝
IRF1405,IRF1407,IRF3305,IRFZ44N,IRFB3077,IRFB4110