這款HEXFET?功率MOSFET采用最新的加工技�(shù),實�(xiàn)了每硅面積極低的�(dǎo)通電�。這種�(shè)計的其他特點�175°C的結(jié)工作溫度、快速的開關(guān)速度和改�(jìn)的競爭性雪崩額定�。這些功能相結(jié)合,使這種�(shè)計成為一種極其高效和可靠的設(shè)�,可用于各種其他�(yīng)用�
先�(jìn)工藝技�(shù)
超低�(dǎo)通電�
175°C工作溫度
快速切換重�(fù)
允許雪崩�(dá)到Tjmax
無鉛
額定功率�330 W
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.0023Ω
極性:N-Channel
耗散功率�330 W
閾值電壓:4 V
輸入電容�6450 pF
漏源極電�(Vds)�40 V
漏源擊穿電壓�40 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�280A
上升時間�120 ns
輸入電容(Ciss)�6450pF 25V(Vds)
下降時間�130 ns
工作溫度(Max)�175�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�300W(Tc)
安裝方式:Through Hole
引腳�(shù)�
封裝:TO-220-3
長度�10.66 mm
寬度�4.83 mm
高度�9.02 mm
封裝:TO-220-3
RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tube
制造應(yīng)用:電源管理