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IRF1404PBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/10 14:43:51 查看 閱讀�614

IRF1404PBF是一款功率MOSFET,屬于國(guó)際整流公司(International Rectifier)生�(chǎn)的產(chǎn)品之一。它采用了先�(jìn)的硅技�(shù),在高壓和高速開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件采用TO-220封裝,可以承受高�(dá)500V的電�,最大漏電流�0.4mA。IRF1404PBF的最大導(dǎo)通電阻為0.0045Ω,最大額定電流為202A,最大功耗為330W。它還具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度、低輸入電容等特�(diǎn),因此非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)控制、電源管理等高功率應(yīng)用領(lǐng)域�
  IRF1404PBF的特�(diǎn)如下�
  1、采用先�(jìn)的硅技�(shù),能夠承受高電壓和高速開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  2、最大可承受電壓高達(dá)500V,最大漏電流�0.4mA�
  3、具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和低輸入電容等特�(diǎn)�
  4、適用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)控制、電源管理等高功率應(yīng)用領(lǐng)��
  5、封裝采用TO-220,方便使用和安裝�

參數(shù)指標(biāo)

IRF1404PBF是一款高性能功率MOSFET,其主要參數(shù)和指�(biāo)如下�
  1、最大承受電壓:500V
  2、最大漏電流�0.4mA
  3、最大導(dǎo)通電阻:0.0045Ω
  4、最大額定電流:202A
  5、最大功耗:330W
  6、封裝形式:TO-220
  7、工作溫度范圍:-55� ~ 175�

組成�(jié)�(gòu)

IRF1404PBF由P型襯�、N型漏源區(qū)、柵�、漏極等組成�
  1、P型襯底:是一種帶正電荷的硅襯�,用于提供MOSFET的結(jié)�(gòu)支撐和電性質(zhì)�(diào)節(jié)�
  2、N型漏源區(qū):是一片帶�(fù)電荷的硅�,用于與P型襯底形成PN�(jié),產(chǎn)生漏源結(jié)�
  3、柵極:是一片金屬片,用于控制MOSFET的導(dǎo)通和截止�
  4、漏極:是一片金屬片,用于連接電路的負(fù)�,也是MOSFET的輸出端�

工作原理

IRF1404PBF的工作原理基于MOSFET的三極管模型。當(dāng)柵極施加正電壓時(shí),它�(huì)形成一�(gè)電場(chǎng),將N型漏源區(qū)中的自由電子吸引到柵極附�,形成一�(gè)電子云。這�(gè)電子云中的自由電子會(huì)形成一�(gè)�(dǎo)電通道,使漏源區(qū)和柵極之間的電阻變得非常�,從而使電流得以通過(guò)MOSFET。當(dāng)柵極施加�(fù)電壓�(shí),電�(chǎng)�(huì)消失,電子云�(huì)消失,MOSFET�(huì)截止,電流無(wú)法通過(guò)�

技�(shù)要點(diǎn)

1、采用先�(jìn)的硅技�(shù),能夠承受高電壓和高速開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  2、最大可承受電壓高達(dá)500V,最大漏電流�0.4mA�
  3、具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和低輸入電容等特�(diǎn)�
  4、適用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)控制、電源管理等高功率應(yīng)用領(lǐng)��
  5、封裝采用TO-220,方便使用和安裝�

�(shè)�(jì)流程

1、確定應(yīng)用場(chǎng)景:根據(jù)電路的需求和�(yīng)用場(chǎng)�,確定IRF1404PBF的使用條��
  2、電路設(shè)�(jì):根�(jù)IRF1404PBF的參�(shù)和指�(biāo),設(shè)�(jì)合適的電路�
  3、PCB布局:根�(jù)電路�(shè)�(jì),�(jìn)行PCB布局�(shè)�(jì),保證電路的�(wěn)定性和可靠��
  4、元器件選型:根�(jù)電路�(shè)�(jì)和PCB布局,選擇合適的元器�,包括電容、電�、二極管��
  5、PCB制作:根�(jù)PCB布局�(shè)�(jì),制作PCB��
  6、元器件安裝:根�(jù)PCB布局和元器件選型,�(jìn)行元器件的安��
  7、調(diào)試測(cè)試:�(jìn)行電路調(diào)試和�(cè)試,�(yàn)證電路的性能和可靠��

注意事項(xiàng)

1、在使用IRF1404PBF�(shí),應(yīng)注意防止靜電干擾,避免元器件損壞�
  2、在元器件安裝過(guò)程中,應(yīng)注意正確安裝方向,避免反向安裝和�(cuò)位安裝�
  3、在�(jìn)行電路調(diào)試和�(cè)試時(shí),應(yīng)注意安全措施,避免觸電和短路等事��
  4、在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中,應(yīng)注意散熱和溫度控�,避免元器件損壞和電路失��

irf1404pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irf1404pbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irf1404pbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C202A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 121A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs196nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5669pF @ 25V
  • 功率 - 最�333W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)*IRF1404PBF