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IRF1010EZ 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 14:18:10 查看 閱讀�23

IRF1010EZ 是一款高性能� N 溝道功率 MOSFET,采� TO-247 封裝形式。該器件專為高效�、高頻率應用而設�,具有低導通電阻和快速開關特性,廣泛應用于電源管�、電機驅(qū)動、DC-DC �(zhuǎn)換器以及逆變器等領域。其增強型結(jié)�(gòu)使其在柵極電壓作用下能夠?qū)娏鳎瑫r具備良好的熱性能和電氣性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  連續(xù)漏極電流�46A
  導通電阻:3.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�88nC(最大值)
  反向恢復時間�48ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

IRF1010EZ 具有非常低的導通電� Rds(on),這有助于減少傳導損耗并提高整體效率�
  該器件還具有較高的雪崩能量能�,從而增強了其在異常條件下的魯棒��
  此外,其快速開關速度降低了開關損�,非常適合高頻操作環(huán)��
  TO-247 的封裝形式提供了�(yōu)秀的散熱性能,使其能夠在高功率密度條件下�(wěn)定運��
  由于采用了先進的制造工�,IRF1010EZ 在動�(tài)特性和靜態(tài)特性之間取得了良好的平�,適合多種工�(yè)和消費類應用需��

應用

IRF1010EZ 廣泛用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�,例如開關電� (SMPS)、DC-DC �(zhuǎn)換器、不間斷電源 (UPS)、太陽能逆變器以及各類電機驅(qū)動系�(tǒng)�
  其低導通電阻和快速開關能力使其成為高電流、高頻應用的理想選擇�
  此外,它也適用于負載點轉(zhuǎn)換器 (POL) 和電池管理系�(tǒng) (BMS) 等領域�

替代型號

IRF1010Z,
  STP50NF06,
  IXFN40N06T,
  FDP55K7

irf1010ez推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irf1010ez資料 更多>

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irf1010ez參數(shù)

  • 標準包裝50
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫歐 @ 51A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs86nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2810pF @ 25V
  • 功率 - 最�140W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF1010EZ