IRF1010EZ 是一款高性能� N 溝道功率 MOSFET,采� TO-247 封裝形式。該器件專為高效�、高頻率應用而設�,具有低導通電阻和快速開關特性,廣泛應用于電源管�、電機驅(qū)動、DC-DC �(zhuǎn)換器以及逆變器等領域。其增強型結(jié)�(gòu)使其在柵極電壓作用下能夠?qū)娏鳎瑫r具備良好的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�46A
導通電阻:3.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
柵極電荷�88nC(最大值)
反向恢復時間�48ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
IRF1010EZ 具有非常低的導通電� Rds(on),這有助于減少傳導損耗并提高整體效率�
該器件還具有較高的雪崩能量能�,從而增強了其在異常條件下的魯棒��
此外,其快速開關速度降低了開關損�,非常適合高頻操作環(huán)��
TO-247 的封裝形式提供了�(yōu)秀的散熱性能,使其能夠在高功率密度條件下�(wěn)定運��
由于采用了先進的制造工�,IRF1010EZ 在動�(tài)特性和靜態(tài)特性之間取得了良好的平�,適合多種工�(yè)和消費類應用需��
IRF1010EZ 廣泛用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�,例如開關電� (SMPS)、DC-DC �(zhuǎn)換器、不間斷電源 (UPS)、太陽能逆變器以及各類電機驅(qū)動系�(tǒng)�
其低導通電阻和快速開關能力使其成為高電流、高頻應用的理想選擇�
此外,它也適用于負載點轉(zhuǎn)換器 (POL) 和電池管理系�(tǒng) (BMS) 等領域�
IRF1010Z,
STP50NF06,
IXFN40N06T,
FDP55K7