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IRF1010EPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/6/5 14:53:25 查看 閱讀�381

IRF1010EPBF是一種N溝道功率MOSFET芯片,由�(guó)際整流器(International Rectifier)公司生�(chǎn)。它是IRF1010系列的一�,也是IRF1010EP系列的一��
  IRF1010EPBF芯片具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力的特點(diǎn)。它的導(dǎo)通電阻僅�12mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀�(tài)�,電流可以順暢地通過(guò)芯片,減少功率損耗。此�,IRF1010EPBF芯片還能承受最�84安培的電流,使其適用于高功率�(yīng)用�
  這款芯片采用了TO-220封裝,便于安裝和散熱。它的工作電壓范圍為-55�175攝氏�,可以在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作。此�,IRF1010EPBF芯片還具有抗靜電和抗�(guò)電流的能�,可以保�(hù)其不受外界干擾或損害�
  IRF1010EPBF芯片廣泛�(yīng)用于電源系統(tǒng)和開(kāi)�(guān)電路�。它可以用于電動(dòng)工具、機(jī)器人、電�(dòng)�(chē)、電源適配器等高功率�(shè)備中,以控制電流和功耗。此�,該芯片還可以用于電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器和電源管理等領(lǐng)��

參數(shù)和指�(biāo)

�(dǎo)通電阻:12mΩ
  最大電流承載能力:84A
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍�-55℃至175�

組成�(jié)�(gòu)

IRF1010EPBF芯片由多�(gè)晶體管和控制電路組成。它主要由N溝道MOSFET電路組成,其中包含源�、漏極和柵極�

工作原理

�(dāng)輸入信號(hào)施加在柵極上�(shí),柵極電壓會(huì)控制源漏電流的流�(dòng)。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí),N溝道MOSFET�(dǎo)通,電流從源極流向漏�。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí),MOSFET截止,電流無(wú)法通過(guò)�

技�(shù)要點(diǎn)

IRF1010EPBF芯片的關(guān)鍵技�(shù)要點(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、高電流承載能力、抗靜電和抗�(guò)電流能力。這些要點(diǎn)使得芯片能夠在高功率�(huán)境下正常工作,并保護(hù)芯片免受外界干擾和損��

�(shè)�(jì)流程

�(shè)�(jì)IRF1010EPBF芯片的流程包括電路設(shè)�(jì)、原型制�、測(cè)試和�(yàn)證。在電路�(shè)�(jì)�,需要根�(jù)具體�(yīng)用需求選擇合適的電路�(jié)�(gòu)和元件參�(shù)。然�,通過(guò)電路圖設(shè)�(jì)軟件�(jìn)行電路布局和連接。接下來(lái),制作芯片的原型并�(jìn)行測(cè)試和�(yàn)�,以確保其性能和可靠性�

注意事項(xiàng)

在使用IRF1010EPBF芯片�(shí),需要注意以下事�(xiàng)�
  避免超過(guò)芯片的最大電流和電壓承載能力,以免損壞芯片或降低性能�
  保持芯片的工作溫度在�(guī)定范圍內(nèi),避免過(guò)��
  靜電保護(hù)是必要的,避免靜電對(duì)芯片的損��

irf1010epbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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irf1010epbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C84A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs130nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3210pF @ 25V
  • 功率 - 最�200W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF1010EPBF