IR2184SPBF是高電壓,高速功率MOSFET和IGBT�(qū)�(dòng)器,具有�(dú)立的高側(cè)和低�(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技�(shù)使堅(jiān)固的整體�(jié)�(gòu)。邏輯輸入兼容標(biāo)�(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低�3.3V邏輯。輸出驅(qū)�(dòng)器具有高脈沖電流緩沖�(jí),設(shè)�(jì)用于最小的�(qū)�(dòng)器交�?zhèn)�?dǎo)。浮�(dòng)通道可用于驅(qū)�(dòng)高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作電壓可達(dá)600��
浮動(dòng)通道�(shè)�(jì)用于引導(dǎo)操作
完全�(yùn)行到+600V
耐受�(fù)瞬態(tài)電壓
dV/dt免疫
門�(qū)�(dòng)電源范圍�10�20V
兩�(gè)通道的欠壓鎖�
3.3V�5V輸入邏輯兼容
兩�(gè)通道匹配的傳播延�
邏輯和電源接�+/-5V偏置�
更低的di/dt門�(qū)�(dòng)�,具有更好的抗噪�
輸出�/匯電流能�1.4A/1.8A
也有無鉛(PbF)
品牌:Infineon(英飛凌)
封裝�8-SOIC
包裝:管
電壓-供電�10V~20V
工作溫度�-40°C~150°C(TJ�
安裝類型:表面貼裝型
基本�(chǎn)品編�(hào):IR2184
HTSUS�8542.39.0001
�(qū)�(dòng)配置:半�
通道類型:同�
�(qū)�(dòng)器數(shù)�
柵極類型:IGBT,N溝道MOSFET
邏輯電壓-VIL,VIH�0.8V�2.7V
電流-峰值輸出(灌入,拉出)�1.9A�2.3A
輸入類型:非反相
上升/下降�(shí)間(典型值)�40ns�20ns
高壓�(cè)電壓-最大值(自舉):600V
�(chǎn)品應(yīng)用:汽車�(jí)
RoHS狀�(tài):符合ROHS3�(guī)�
濕氣敏感性等�(jí)(MSL)�2�1年)
REACH狀�(tài):非REACH�(chǎn)�
ECCN:EAR99
IR2184SPBF原理�
IR2184SPBF引腳�
IR2184SPBF封裝