IR2111STRPBF是一款高電壓、高速功率MOSFET和IGBT�(qū)�(dòng)�,具有獨(dú)立的高低�(cè)參考輸出通道,專為半橋應(yīng)用而設(shè)�(jì)。專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技�(shù)使堅(jiān)固的整體�(jié)�(gòu)。邏輯輸入與�(biāo)�(zhǔn)CMOS輸出兼容。輸出驅(qū)�(dòng)器具有高脈沖電流緩沖�(jí),設(shè)�(jì)用于最小的�(qū)�(dòng)器交�?zhèn)�?dǎo)。提供內(nèi)部死區(qū)以避免輸出半橋的射穿。浮�(dòng)通道可用于驅(qū)�(dòng)高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作電壓可達(dá)600��
專為自舉操作�(shè)�(jì)的浮�(dòng)通道
完全�(yùn)行時(shí)的電壓高�(dá) 600V
容許�(fù)瞬態(tài)電壓�
不受 dV/dt 影響
柵極�(qū)�(dòng)供電電壓范圍�10 � 20V
雙通道欠壓鎖定
3.3V�5V � 15V 邏輯輸入兼容
防止交叉?zhèn)�?dǎo)邏輯
雙通道的匹配傳播延�
高邊輸出� IN 輸入同相
邏輯和電源接� + /- 5 V 偏移
�(nèi)部死區(qū)�(shí)間為 540ns
較低� di/dt 柵極�(qū)�(dòng)器可獲得更好的抗噪聲�
�(guān)斷輸入將�(guān)閉兩�(gè)通道
品牌:Infineon(英飛凌)
封裝�8-SOIC
包裝:圓�
電壓-供電�10V~20V
工作溫度�-40°C~150°C(TJ�
安裝類型:表面貼裝型
基本�(chǎn)品編�(hào):IR2111
HTSUS�8542.39.0001
�(qū)�(dòng)配置:半�
通道類型:同�
�(qū)�(dòng)器數(shù)�
柵極類型:IGBT,N溝道MOSFET
邏輯電壓-VIL,VIH�8.3V�12.6V
電流-峰值輸出(灌入,拉出)�250mA�500mA
輸入類型:非反相
上升/下降�(shí)間(典型值)�80ns�40ns
高壓�(cè)電壓-最大值(自舉):600V
�(chǎn)品應(yīng)用:汽車�(jí)
濕氣敏感性等�(jí)(MSL)�2�1年)
REACH狀�(tài):非REACH�(chǎn)品:
ECCN:EAR99
IR2111STRPBF原理�
IR2111STRPBF引腳�
IR2111STRPBF封裝