IR2110STRPBF是高電壓、高速功率MOSFET和IGBT�(qū)�(dòng)�,具有獨(dú)立的高、低�(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技�(shù)使堅(jiān)固的單片�(jié)�(gòu)。邏輯輸入兼容標(biāo)�(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低�3.3V邏輯。輸出驅(qū)�(dòng)器具有高脈沖電流緩沖階段,設(shè)�(jì)為最小的�(qū)�(dòng)器的交叉?zhèn)�?dǎo)。傳播延遲匹�,以�(jiǎn)化在高頻�(yīng)用中的使�。浮�(dòng)通道可用于驅(qū)�(dòng)高達(dá)500�600伏特的高�(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT�
�專為自舉操作�(shè)�(jì)的浮�(dòng)通道
�完全�(yùn)行時(shí)的電壓高�(dá) +500 V
�提供完全�(yùn)行時(shí)的電壓高�(dá)+600 V 的版� (IR2113 )
�不受 dV/dt 影響
�柵極�(qū)�(dòng)電源范圍�10 � 20V
�雙通道欠壓鎖定
�3.3 V 邏輯兼容
��(dú)立的邏輯供電電壓范圍�3.3 V � 20 V
�邏輯和電源接� +/- 5V 偏移
�具有下拉� CMOS 施密特觸�(fā)輸入
�逐周期邊緣觸�(fā)�(guān)斷邏�
�雙通道的匹配傳播延�
�輸出與輸入同�
分類 | �(chǎng)效應(yīng)�(MOSFET) | 邏輯電壓 - VIL,VIH | 6V�9.5V |
品牌 | Infineon(英飛�) | 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出) | 2A�2A |
系列 | IR2110 | 輸入類型 | 非反� |
�(qū)�(dòng)配置 | 半橋 | 高壓�(cè)電壓 - 最大值(自舉� | 500 V |
通道類型 | �(dú)立式 | 上升/下降�(shí)間(典型值) | 25ns�17ns |
�(qū)�(dòng)器數(shù) | 2 | 工作溫度 | -40°C ~ 150°C(TJ� |
柵極類型 | IGBT,N 溝道 MOSFET | 安裝類型 | 表面貼裝� |
電壓 - 供電 | 3.3V ~ 20V | 封裝 | 16-SOIC |
IR2110STRPBF原理�
IR2110STRPBF引腳�
IR2110STRPBF封裝