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IR2101STRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/3/27 15:17:20 查看 閱讀�362

IR2101STRPBF是高電壓,高速功率MOSFET和IGBT�(qū)�(dòng)器,具有�(dú)立的高側(cè)和低�(cè)參考輸出通道。專(zhuān)有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技�(shù)使堅(jiān)固的整體�(jié)�(gòu)。邏輯輸入兼容標(biāo)�(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低�3.3V邏輯。輸出驅(qū)�(dòng)器具有高脈沖電流緩沖�(jí),設(shè)�(jì)用于最小的�(qū)�(dòng)器交�?zhèn)�?dǎo)。浮�(dòng)通道可用于驅(qū)�(dòng)高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作電壓可達(dá)600��

基礎(chǔ)介紹

  廠商型號(hào):IR2101STRPBF

  品牌名稱(chēng):Infineon(英飛�)

  元件�(lèi)別:柵極�(qū)�(dòng)IC

  封裝�(guī)格:8-SOIC

  型號(hào)介紹�600 V

特點(diǎn)

  為bootstrap操作�(shè)�(jì)的浮地通道

  可在+600V完全�(yùn)�

  容許�(fù)瞬變電壓

  有一定的dV/dt抗擾能力

  柵極�(qū)�(dòng)電源范圍10�20V

  欠電壓鎖�

  3.3V�5V,和15V邏輯輸入兼容

  兩�(gè)通道的傳播延遲相匹配

  輸出與輸入同�(IR2101)或與輸入反相(IR2102)

中文參數(shù)

商品分類(lèi)柵極�(qū)�(dòng)IC品牌Infineon(英飛凌)
封裝8-SOIC包裝圓盤(pán)
電壓-供電10V~20V工作溫度-40°C~150°C(TJ�
安裝�(lèi)�表面貼裝�基本�(chǎn)品編�(hào)IR2101
HTSUS8542.39.0001�(qū)�(dòng)配置半橋
通道�(lèi)��(dú)立式�(qū)�(dòng)器數(shù)2
柵極�(lèi)�IGBT,N溝道MOSFET邏輯電壓-VIL,VIH0.8V�3V
電流-峰值輸出(灌入,拉出)210mA�360mA輸入�(lèi)�非反�
上升/下降�(shí)間(典型值)100ns�50ns高壓�(cè)電壓-最大值(自舉�600V
�(chǎn)品應(yīng)�汽車(chē)�(jí)


�(huán)境與出口分類(lèi)

RoHS狀�(tài)符合ROHS3�(guī)�濕氣敏感性等�(jí)(MSL)2�1年)
REACH狀�(tài)非REACH�(chǎn)�ECCNEAR99

原理�

IR2101STRPBF原理圖

IR2101STRPBF原理�

引腳

IR2101STRPBF原理圖

IR2101STRPBF引腳�

封裝

IR2101STRPBF封裝圖

IR2101STRPBF封裝

ir2101strpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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ir2101strpbf圖片

ir2101strpbf

ir2101strpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)�(dòng)� - 外部�(kāi)�(guān)
  • 系列-
  • 配置高端和低端,�(dú)�
  • 輸入�(lèi)�非反�
  • 延遲�(shí)�160ns
  • 電流 - �210mA
  • 配置�(shù)1
  • 輸出�(shù)2
  • 高端電壓 - 最大(自引�(dǎo)啟動(dòng)�600V
  • 電源電壓10 V ~ 20 V
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IR2101SPBFTRIR2101STRPBF-NDIR2101STRPBFTR-ND