IR2101STRPBF是高電壓,高速功率MOSFET和IGBT�(qū)�(dòng)器,具有�(dú)立的高側(cè)和低�(cè)參考輸出通道。專(zhuān)有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技�(shù)使堅(jiān)固的整體�(jié)�(gòu)。邏輯輸入兼容標(biāo)�(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低�3.3V邏輯。輸出驅(qū)�(dòng)器具有高脈沖電流緩沖�(jí),設(shè)�(jì)用于最小的�(qū)�(dòng)器交�?zhèn)�?dǎo)。浮�(dòng)通道可用于驅(qū)�(dòng)高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作電壓可達(dá)600��
為bootstrap操作�(shè)�(jì)的浮地通道
可在+600V完全�(yùn)�
容許�(fù)瞬變電壓
有一定的dV/dt抗擾能力
柵極�(qū)�(dòng)電源范圍10�20V
欠電壓鎖�
3.3V�5V,和15V邏輯輸入兼容
兩�(gè)通道的傳播延遲相匹配
輸出與輸入同�(IR2101)或與輸入反相(IR2102)
商品分類(lèi) | 柵極�(qū)�(dòng)IC | 品牌 | Infineon(英飛凌) |
封裝 | 8-SOIC | 包裝 | 圓盤(pán) |
電壓-供電 | 10V~20V | 工作溫度 | -40°C~150°C(TJ� |
安裝�(lèi)� | 表面貼裝� | 基本�(chǎn)品編�(hào) | IR2101 |
HTSUS | 8542.39.0001 | �(qū)�(dòng)配置 | 半橋 |
通道�(lèi)� | �(dú)立式 | �(qū)�(dòng)器數(shù) | 2 |
柵極�(lèi)� | IGBT,N溝道MOSFET | 邏輯電壓-VIL,VIH | 0.8V�3V |
電流-峰值輸出(灌入,拉出) | 210mA�360mA | 輸入�(lèi)� | 非反� |
上升/下降�(shí)間(典型值) | 100ns�50ns | 高壓�(cè)電壓-最大值(自舉� | 600V |
�(chǎn)品應(yīng)� | 汽車(chē)�(jí) |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3�(guī)� | 濕氣敏感性等�(jí)(MSL) | 2�1年) |
REACH狀�(tài) | 非REACH�(chǎn)� | ECCN | EAR99 |
IR2101STRPBF原理�
IR2101STRPBF引腳�
IR2101STRPBF封裝