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IPW65R041CFD 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 14:36:09 查看 閱讀�28

IPW65R041CFD 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 沃特 (N-Channel) 功率 MOSFET,采� TO-Leadless 封裝形式。該器件適用于高頻開�(guān)�(yīng)�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消費電子以及汽車領(lǐng)域中的電源轉(zhuǎn)換電��
  這款 MOSFET 的主要特點是其較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使得它在功率轉(zhuǎn)換過程中能夠減少能量損耗,從而提高系�(tǒng)整體效率。同�,其封裝�(shè)計優(yōu)化了散熱性能,使其能夠在較高的工作溫度下�(wěn)定運��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�9.9A
  �(dǎo)通電阻:41mΩ
  柵極電荷�78nC
  總功耗:192W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�

特�

IPW65R041CFD 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高電壓耐受能力�650V 的漏源擊穿電壓使其適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用,例如開關(guān)電源和電機驅(qū)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:41mΩ 的典� Rds(on) 在同級別�(chǎn)品中表現(xiàn)�(yōu)�,降低了傳導(dǎo)損�,提升了效率�
  3. 快速開�(guān)速度:由于其低柵極電荷和�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),能�?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),減少了開關(guān)損耗�
  4. 緊湊型封裝:TO-Leadless 封裝不僅節(jié)省空�,還增強了散熱性能,適合高密度�(shè)��
  5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量控制流�,確保其在惡劣環(huán)境下具備長壽命和高穩(wěn)定��
  6. 寬工作溫度范圍:支持� -55°C � +175°C 的結(jié)溫范圍,適用于各種極端條件下的應(yīng)��

�(yīng)�

IPW65R041CFD 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器,用于計算機、服�(wù)�、通信�(shè)備等�
  2. 電機�(qū)動:適用于家用電�、工�(yè)自動化設(shè)備中的無刷直流電機(BLDC)控��
  3. 太陽能逆變器:在光伏系�(tǒng)中作為功率級組件,提升能源轉(zhuǎn)換效��
  4. 電動汽車和混合動力汽車:用于車載充電�、DC-DC �(zhuǎn)換器及電機控制器��
  5. LED �(qū)動器:為大功� LED 照明提供高效�(wěn)定的電流控制�
  6. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場�,如 UPS 不間斷電源、焊接設(shè)備等�

替代型號

IPW65R040CFD, IPW65R045CFD, IPP65R040PFD

ipw65r041cfd推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipw65r041cfd參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPW65R041CFD
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝240
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C68.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C41 毫歐 @ 33.1A, 10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 3.3mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs54nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds8400pF @ 100V
  • 功率 - 最�500W
  • 安裝類型*
  • 封裝/外殼*
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�*
  • 包裝*
  • 其它名稱IPW65R041CFDFKSA1