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IPW50R250CP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/10 14:08:24 查看 閱讀�856

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:CoolMOS?

  

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:CoolMOS?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�250 毫歐 @ 7.8A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�550V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�13A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�3.5V @ 520μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�36nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �1420pF @ 100V

    功率 - 最大:114W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-247-3(直引線�

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-247

    其它名稱:SP000301162


資料

廠商
INFINEON/英飛�

ipw50r250cp推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipw50r250cp參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPW50R250CP
  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝240
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫歐 @ 7.8A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.5V @ 520µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1420pF @ 100V
  • 功率 - 最�114W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000301162