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IPTC014N10NM5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 11:57:35 查看 閱讀�34

IPTC014N10NM5 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高效率的特�(diǎn),適合用于高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,例如服�(wù)器電�、電信設(shè)�、可再生能源系統(tǒng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電器等。其�(shè)�(jì)能夠�(mǎn)足現(xiàn)代電力電子對(duì)高效率和小尺寸的需求�

參數(shù)

型號(hào):IPTC014N10NM5
  �(lèi)型:增強(qiáng)� GaN HEMT
  額定電壓�600 V
  額定電流�14 A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�100 mΩ
  柵極電荷(典型值)�7.8 nC
  �(kāi)�(guān)頻率范圍:高�(dá) 5 MHz
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

IPTC014N10NM5 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著減少傳�(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操作,從而降低磁性元件的體積和重��
  3. 高擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行�
  4. 具備低柵極電荷和輸出電荷,有助于提升整體效率�
  5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫條件下長(zhǎng)期工��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料使��
  這款 GaN 晶體管特別適合需要高效能和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景�

�(yīng)�

IPTC014N10NM5 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 圖騰� PFC(功率因�(shù)校正)電路�
  3. �(wú)線充電系�(tǒng)中的功率傳輸模塊�
  4. �(shù)�(jù)中心和通信基站的電源供�(yīng)�
  5. 新能源汽�(chē)�(chē)載充電器(OBC)及 DC-DC 變換��
  6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源發(fā)電設(shè)備�
  該芯片憑借其卓越的性能,可以有效提升這些系統(tǒng)的效率并減小系統(tǒng)體積�

替代型號(hào)

IPTC010N10NM5
  IPTC012N10NM5
  IPTC016N10NM5

iptc014n10nm5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)
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