IPTC014N10NM5 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高效率的特�(diǎn),適合用于高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,例如服�(wù)器電�、電信設(shè)�、可再生能源系統(tǒng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電器等。其�(shè)�(jì)能夠�(mǎn)足現(xiàn)代電力電子對(duì)高效率和小尺寸的需求�
型號(hào):IPTC014N10NM5
�(lèi)型:增強(qiáng)� GaN HEMT
額定電壓�600 V
額定電流�14 A
�(dǎo)通電阻(典型值)�100 mΩ
柵極電荷(典型值)�7.8 nC
�(kāi)�(guān)頻率范圍:高�(dá) 5 MHz
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
IPTC014N10NM5 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著減少傳�(dǎo)損��
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操作,從而降低磁性元件的體積和重��
3. 高擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行�
4. 具備低柵極電荷和輸出電荷,有助于提升整體效率�
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫條件下長(zhǎng)期工��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料使��
這款 GaN 晶體管特別適合需要高效能和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景�
IPTC014N10NM5 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 圖騰� PFC(功率因�(shù)校正)電路�
3. �(wú)線充電系�(tǒng)中的功率傳輸模塊�
4. �(shù)�(jù)中心和通信基站的電源供�(yīng)�
5. 新能源汽�(chē)�(chē)載充電器(OBC)及 DC-DC 變換��
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源發(fā)電設(shè)備�
該芯片憑借其卓越的性能,可以有效提升這些系統(tǒng)的效率并減小系統(tǒng)體積�
IPTC010N10NM5
IPTC012N10NM5
IPTC016N10NM5