時間�2025/5/13 17:26:56
閱讀�17
IPT60R050G7是Infineon（英飛凌）推出的一款采用TRENCHSTOP?技術的MOSFET芯片。該器件主要應用于高頻開關電�、電機驅�、逆變器和DC-DC轉換器等場景，具有低導通電阻和快速開關速度的特�，能夠在高頻應用中實現高效率和低損耗�
這款芯片屬于IGBT模塊系列中的功率MOSFET類別，采用了TO-247封裝形式，能夠適應較高的電流和電壓需�。其設計使得在高溫條件下仍能保持�(wěn)定的性能表現�
最大漏源電壓：600V
導通電阻（典型值）�50mΩ
連續(xù)漏極電流�18A
柵極電荷�10nC
總電容：1300pF
工作結溫范圍�-55� to 175�
IPT60R050G7使用了先進的TRENCHSTOP?技術以降低導通電阻并提高整體效率�
其具備以下優(yōu)勢：
- 極低的導通電阻（50mΩ�，減少了傳導損�，從而提升系�(tǒng)效率�
- 快速開關速度和較低的柵極電荷使其非常適合高頻應用場景�
- 高度可靠的熱�(wěn)定性，即使在惡劣的工作�(huán)境下也能保持出色的性能�
- TO-247封裝便于散熱，適合高功率密度的應用場��
- 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛工藝制��
IPT60R050G7廣泛用于需要高效率和高性能的電力電子領�，包括但不限于以下應用：
- 開關模式電源(SMPS)
- 太陽能逆變�
- 電機驅動與控�
- 工業(yè)自動化設�
- 電動汽車充電�
- DC-DC轉換�
由于其高壓特性和良好的開關性能，該器件特別適用于需要高可靠性和高效能量轉換的工�(yè)及汽車級應用�
IPT60R098N7, IPT60R140CP, IRFB4110TRPBF
