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IPT60R022S7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 14:49:10 查看 閱讀�19

IPT60R022S7是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用TRENCHSTOP? IGBT技�(shù)制�。該器件屬于Optimized Field Stop MOSFET系列,設(shè)�(jì)用于高效�、高頻開�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�。其主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損�,從而提高系�(tǒng)整體效率。IPT60R022S7適用于工�(yè)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、太陽能逆變器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)��

參數(shù)

額定電壓�650V
  最大漏源極�(dǎo)通電阻(RDS(on)):22mΩ
  連續(xù)漏極電流(ID):34A
  柵極電荷(Qg):95nC
  輸入電容(Ciss):2850pF
  反向恢復(fù)�(shí)間(trr):75ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

IPT60R022S7采用了先�(jìn)的TRENCHSTOP?技�(shù),具備以下優(yōu)�(shì)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損��
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 高度�(wěn)定的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)��
  4. �(nèi)置二極管具有較低的反向恢�(fù)電荷,可�(jìn)一步降低開�(guān)損��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
  此外,其�(jiān)固的�(shè)�(jì)使其非常適合要求�(yán)苛的工業(yè)�(yīng)用環(huán)��

�(yīng)�

IPT60R022S7廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  3. 太陽能逆變�
  4. UPS不間斷電�
  5. 電動(dòng)汽車充電�
  6. LED照明�(qū)�(dòng)電路
  7. 各種AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器
  由于其高效率和耐用�,該器件特別適合�(duì)能源效率和散熱性能有較高要求的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IPT60R040S7
  IPT60R070S7
  IPW60R022S7
  IPB60R022S7

ipt60r022s7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)