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IPT017N10NF2S 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 9:43:40 查看 閱讀�20

IPT017N10NF2S 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� TOLL 封裝。該器件主要針對高效率開關應用設計,具有較低的導通電阻和�(yōu)化的開關性能。它適用于各種工�(yè)、汽車和消費電子領域中的電源管理解決方案�

參數

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�38A
  導通電阻(典型值)�1.7mΩ
  柵極電荷(典型值)�95nC
  反向恢復時間�40ns
  工作結溫范圍�-55� � 175�

特�

IPT017N10NF2S 具有低導通電阻和�(yōu)化的開關特�,從而可以顯著降低傳導損耗和開關損耗�
  其封裝形式為 TOLL,能夠提供更好的散熱性能和電氣連接能力�
  此外,該器件還具備出色的雪崩能力和抗靜電性能,可確保在惡劣環(huán)境下的可靠運��
  通過先進的制造工�,IPT017N10NF2S 在高頻應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和穩(wěn)定��

應用

IPT017N10NF2S 廣泛應用� DC-DC 轉換器、電機驅�、逆變�、不間斷電源(UPS�、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉換的場景�
  它也適合于汽車電子系�(tǒng),例如電動助力轉向、空調壓縮機控制和車載充電器��
  此外,在消費類電子產品中,如筆記本電腦適配器和平板電視電�,這款 MOSFET 同樣表現(xiàn)�(yōu)��

替代型號

IPT016N10NF2S
  IPT018N10NF2S
  IRLB8748PBF

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