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IPP65R110CFDA 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/20 18:17:58 查看 閱讀：8

IPP65R110CFDA是英飛凌（Infineon）公司推出的一款MOSFET功率晶體管，采用TRENCHSTOP? IGBT技術(shù)。該器件專(zhuān)為高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。其典型應(yīng)用場(chǎng)景包括開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。該芯片的封裝形式為T(mén)O-Leadless（TOLL），有助于提高熱性能和電氣性能。

參數(shù)

型號(hào)：IPP65R110CFDA
　　類(lèi)型：N-Channel MOSFET
　　額定電壓：650V
　　額定電流：40A
　　導(dǎo)通電阻：110mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　最大功耗：320W
　　工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
　　封裝：TO-Leadless (TOLL)
　　柵極電荷：42nC（典型值）
　　反向恢復(fù)時(shí)間：30ns（典型值）

特性

IPP65R110CFDA采用了先進(jìn)的溝槽式結(jié)構(gòu)，具備較低的導(dǎo)通電阻，從而減少了傳導(dǎo)損耗。同時(shí)，它具有快速的開(kāi)關(guān)速度，能夠在高頻條件下實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。
　　該器件具有優(yōu)異的熱性能，能夠承受較高的結(jié)溫，適合在惡劣環(huán)境下運(yùn)行。此外，其TO-Leadless封裝不僅提高了散熱能力，還增強(qiáng)了電磁兼容性（EMC）。
　　該芯片支持零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）和零電流開(kāi)關(guān)（ZCS）技術(shù)，非常適合于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)�。其�?jiān)固的設(shè)計(jì)使其能夠抵抗雪崩和過(guò)載情況，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的可靠性。
　　與傳統(tǒng)MOSFET相比，IPP65R110CFDA優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能，降低了開(kāi)關(guān)損耗，并且通過(guò)減小寄生電感提升了整體效率。

應(yīng)用

IPP65R110CFDA廣泛應(yīng)用于各種功率電子設(shè)備中，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. 逆變器
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　5. 太陽(yáng)能微型逆變器
　　6. 電動(dòng)汽車(chē)充電樁
　　由于其高效能和高頻操作能力，該器件特別適合需要高性能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IPP65R140CPD
　　IPP65R190CE
　　IPP65R190CP

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