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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPP60R600P7XKSA1

IPP60R600P7XKSA1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 21:04:43 查看 閱讀�34

IPP60R600P7XKSA1是英飛凌(Infineon)推出的一款MOSFET功率晶體管,屬于OptiMOS?系列。該器件采用TRENCHSTOP?技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式為D2PAK(TO-263),能夠支持較高的電流和電壓需�,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車及消費(fèi)電子�(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):IPP60R600P7XKSA1
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(V_DS):650V
  最大連續(xù)漏極電流(I_D):48A
  最大柵源電壓(V_GS):±20V
  �(dǎo)通電阻(R_DS(on)):600mΩ(典型值,在V_GS=10V�(shí)�
  總功耗(P_TOT):210W
  �(jié)溫范圍(T_J):-55℃至+175�
  封裝:D2PAK(TO-263�

特�

IPP60R600P7XKSA1具備多種�(yōu)異特�,包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on)),在工作電壓范圍內(nèi)保持高效性能�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)�,如�(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 高雪崩能量能�,提供強(qiáng)大的�(guò)載保�(hù)功能�
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鹵素�
  5. 封裝散熱性能�(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,滿足工�(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用的需��

�(yīng)�

IPP60R600P7XKSA1主要�(yīng)用于以下�(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率因�(shù)校正(PFC)電路�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于降壓或升壓模式�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制,特別是在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)��
  4. 充電器和適配器設(shè)�(jì),例如筆記本電腦和手�(jī)充電器�
  5. 汽車電子系統(tǒng),如車載充電器和LED�(qū)�(dòng)��
  6. 可再生能源設(shè)�,如太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換部分�

替代型號(hào)

IPP60R600P7LSA1, IPP60R600C7LSA1

ipp60r600p7xksa1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipp60r600p7xksa1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�453�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �13.99000管件
  • 系列CoolMOS? P7
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�650 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)6A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)600 毫歐 @ 1.7A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 80μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)363 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)30W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TO220-3
  • 封裝/外殼TO-220-3