IPP60R190C6是英飛凌(Infineon)推出的MOSFET功率晶體管,屬于OptiMOS系列。該器件采用TO-247封裝形式,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。其設(shè)計旨在降低傳導損耗并提高系統(tǒng)整體能效。
最大漏源電壓:600V
導通電阻:190mΩ
連續(xù)漏極電流:18A
柵極電荷:85nC
總熱阻(結(jié)到殼):0.83°C/W
工作結(jié)溫范圍:-55°C至175°C
IPP60R190C6的主要特性包括低導通電阻以減少功率損耗,快速開關(guān)速度從而降低開關(guān)損耗,具備良好的雪崩能力以確保在異常情況下的可靠性。此外,該器件還具有出色的熱穩(wěn)定性和低輸出電容,有助于提高系統(tǒng)的效率和性能。
此器件的OptiMOS技術(shù)提供了增強的魯棒性,在硬開關(guān)條件下表現(xiàn)出色,并且其優(yōu)化的寄生參數(shù)使得在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。同時,它也支持較高的結(jié)溫,適應(yīng)更廣泛的工作環(huán)境。
IPP60R190C6適用于多種工業(yè)和消費電子領(lǐng)域的應(yīng)用,包括但不限于太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換、不間斷電源(UPS)、電動工具的電機控制、以及各類開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計。由于其高耐壓和低導通電阻特性,特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和可靠運行的應(yīng)用場景。
IPP60R195P6
IPP60R190P6