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IPP60R190C6 發(fā)布時間 時間:2025/5/21 21:46:28 查看 閱讀:10

IPP60R190C6是英飛凌(Infineon)推出的MOSFET功率晶體管,屬于OptiMOS系列。該器件采用TO-247封裝形式,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。其設(shè)計旨在降低傳導損耗并提高系統(tǒng)整體能效。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  導通電阻:190mΩ
  連續(xù)漏極電流:18A
  柵極電荷:85nC
  總熱阻(結(jié)到殼):0.83°C/W
  工作結(jié)溫范圍:-55°C至175°C

特性

IPP60R190C6的主要特性包括低導通電阻以減少功率損耗,快速開關(guān)速度從而降低開關(guān)損耗,具備良好的雪崩能力以確保在異常情況下的可靠性。此外,該器件還具有出色的熱穩(wěn)定性和低輸出電容,有助于提高系統(tǒng)的效率和性能。
  此器件的OptiMOS技術(shù)提供了增強的魯棒性,在硬開關(guān)條件下表現(xiàn)出色,并且其優(yōu)化的寄生參數(shù)使得在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。同時,它也支持較高的結(jié)溫,適應(yīng)更廣泛的工作環(huán)境。

應(yīng)用

IPP60R190C6適用于多種工業(yè)和消費電子領(lǐng)域的應(yīng)用,包括但不限于太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換、不間斷電源(UPS)、電動工具的電機控制、以及各類開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計。由于其高耐壓和低導通電阻特性,特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和可靠運行的應(yīng)用場景。

替代型號

IPP60R195P6
  IPP60R190P6

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  • 產(chǎn)品型號
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ipp60r190c6參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPx60R190C6
  • 產(chǎn)品培訓模塊CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 標準包裝500
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫歐 @ 9.5A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 630µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 100V
  • 功率 - 最大34W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000621158