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IPP200N15N3 G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 12:51:49 查看 閱讀�22

IPP200N15N3 G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的高壓功� MOSFET,屬� P溝道增強型器件。該芯片主要用于需要高效率和高性能的開�(guān)應用�,例如開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景。其耐壓能力高達 1500V,同時具有低導通電阻和快速開�(guān)特�,能夠滿足工�(yè)和汽車領(lǐng)�?qū)Ω呖煽啃院透咝艿男枨�?br>  這款芯片采用 TO-247 封裝形式,具備良好的散熱性能,適用于高功率密度的應用�(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:1500V
  連續(xù)漏極電流�200A
  導通電阻:0.018Ω
  柵極電荷�65nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

IPP200N15N3 G 具有以下顯著特點�
  1. 高耐壓能力�1500V 的漏源擊穿電壓使其能夠在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運��
  2. 大電流處理能力:連續(xù)漏極電流可達 200A,適合高功率應用場景�
  3. 低導通電阻:僅為 0.018Ω,降低了導通損�,提升了整體效率�
  4. 快速開�(guān)性能:得益于較低的柵極電�,該器件可以實現(xiàn)快速的開關(guān)動作,減少開�(guān)損��
  5. 高溫適應性:支持 -55� � +175� 的寬溫度范圍,確保在極端�(huán)境下的可靠��
  6. 符合 RoHS 標準:環(huán)保設計,滿足國際�(huán)保法�(guī)要求�
  這些特性使 IPP200N15N3 G 成為高功率轉(zhuǎn)換和控制應用的理想選��

應用

IPP200N15N3 G 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)設備中的開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動汽車及混合動力汽車中的電機驅(qū)動和逆變器模��
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
  4. 高壓大電流負載開�(guān),如焊接設備、UPS 系統(tǒng)��
  5. 高效功率因數(shù)校正(PFC)電路�
  其卓越的性能和可靠性使其成為許多高功率電子系統(tǒng)的首選解決方��

替代型號

IPP200N15S3G, IRGP2004PbK

ipp200n15n3 g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipp200n15n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx200N15N3 G
  • 標準包裝500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 50A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 90µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1820pF @ 75V
  • 功率 - 最�150W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應商設備封�PG-TO220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000414714SP000680884