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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPP114N12N3 G

IPP114N12N3 G 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 12:20:11 查看 閱讀�29

IPP114N12N3 G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于高效率的開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載切換等�(yīng)��
  該芯片設(shè)計用于處理高電流和高電壓�(huán)境下的電力轉(zhuǎn)換,其出色的電氣性能和熱性能使其成為工業(yè)、消�(fèi)類電子及汽車�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�114A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�65nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝類型:D2PAK (TO-263)

特�

IPP114N12N3 G 的主要特�(diǎn)是其非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 1.5mΩ,這顯著降低了傳導(dǎo)損�,從而提高了系統(tǒng)效率�
  此外,該器件具有快速開�(guān)能力,能夠有效減少開�(guān)損耗,非常適合高頻操作�(huán)��
  該芯片還具有�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,同時具備較低的輸入電容和輸出電容,有助于簡化驅(qū)動電路設(shè)計并提高整體性能�
  其堅(jiān)固的�(gòu)造確保了在惡劣條件下的可靠運(yùn)�,如短路保護(hù)和過溫關(guān)斷等功能�(jìn)一步增�(qiáng)了器件的安全性�

�(yīng)�

IPP114N12N3 G 廣泛�(yīng)用于各種高功率密度場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切�
  5. 太陽能逆變器和不間斷電源(UPS�
  6. 電動汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS�

替代型號

IPP110N12N3 G, IPP100N12N3 G

ipp114n12n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipp114n12n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPP114N12N3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)120V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.4 毫歐 @ 75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 83µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs65nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4310pF @ 60V
  • 功率 - 最�136W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000652740