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IPP111N15N3 G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 14:44:57 查看 閱讀�45

IPP111N15N3 G 是一款由 Infineon(英飛凌)推出的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝形式,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各種功率轉(zhuǎn)換電路中。其低導(dǎo)通電阻和高效率的特性使� IPP111N15N3 G 成為眾多�(shè)計中的理想選��
  這款 MOSFET 的耐壓能力高達 150V,能夠滿足大多數(shù)工業(yè)�(yīng)用的需�,并且具有快速開�(guān)特性和較低的柵極電�,有助于減少開關(guān)損耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�11.1A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�14mΩ
  柵極電荷(典型值)�9nC
  總電容(輸入電容):750pF
  功耗:16W
  封裝:TO-252 (DPAK)

特�

IPP111N15N3 G 具有以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓:可以承受最� 150V 的漏源電壓,適合用于高壓�(huán)境下的功率管��
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為 14mΩ,在高電流應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗�
  3. 快速開�(guān)速度:較小的柵極電荷和輸出電容確保了更快的開�(guān)速度,從而降低了開關(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性:采用 TO-252 封裝,具備良好的散熱性能�
  5. 可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,能夠在惡劣�(huán)境下長期�(wěn)定工��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

IPP111N15N3 G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)動電�
  4. 電池保護系統(tǒng)
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控�
  6. LED �(qū)動電�
  7. 各種消費類電子產(chǎn)品的功率管理模塊

替代型號

IPP110N15N3 G, IPP115N15N3 G

ipp111n15n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipp111n15n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C83A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.1 毫歐 @ 83A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 160µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3230pF @ 75V
  • 功率 - 最�214W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000677860