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IPP086N10N3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 16:58:16 查看 閱讀�30

IPP086N10N3 G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用先�(jìn)� TRENCHSTOP? 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。其封裝形式� TO-220-3,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。這款 MOSFET 的額定電壓為 100V,適合用于需要高效能和高可靠性的電路�(shè)�(jì)�
  該器件在工業(yè)、消�(fèi)電子以及汽車�(lǐng)域中都有廣泛�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)控制等場��

參數(shù)

最大漏源極電壓�100V
  最大連續(xù)漏電流:8.6A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�17mΩ
  柵極電荷(典型值)�15nC
  輸入電容(典型值)�1490pF
  總功耗:140W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
  封裝形式:TO-220-3

特�

IPP086N10N3 G 具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,可減少開關(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
  4. �(nèi)置反向二極管,支持續(xù)流功�,特別適合于電機(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電源�(yīng)用�
  5. 工作溫度范圍寬廣,能夠適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

IPP086N10N3 G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
  2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓�?fù)�?br>  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�,如家用電器中的小型電機(jī)控制�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電管理�
  5. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的�(guān)鍵功率元��
  6. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  該器件憑借其出色的電氣特性和可靠�,在這些�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��

替代型號(hào)

IPP086N10N3_LG, IRF840, STP80NF10

ipp086n10n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipp086n10n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx08xN10N3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C80A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.6 毫歐 @ 73A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.5V @ 75µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3980pF @ 50V
  • 功率 - 最�125W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000485980SP000680840