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IPP045N10N3 G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 23:07:06 查看 閱讀：5

IPP045N10N3 G 是英飛凌（Infineon）推出的增強(qiáng)型 N 溝道功率 MOSFET，采用 TO-263-3 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等需要高效能和高可靠性的領(lǐng)域。
　　這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)旨在提供高效的功率轉(zhuǎn)換，同時(shí)保持較低的功耗和良好的散熱特性，適合工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)以及汽車(chē)電子應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：100V
　　連續(xù)漏極電流：4.5A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：95mΩ
　　柵極電荷：15nC
　　輸入電容：780pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間：10ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝形式：TO-263-3

特性

IPP045N10N3 G 的主要特點(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高效率，能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。此外，它還具有以下優(yōu)勢(shì)：
　　1. 高速開(kāi)關(guān)性能，減少了開(kāi)關(guān)損耗。
　　2. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下也能正常工作。
　　3. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
　　4. 內(nèi)置保護(hù)機(jī)制，可防止過(guò)流或短路情況下的損壞。
　　這些特性使得 IPP045N10N3 G 成為許多高性能功率應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

該芯片適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　3. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　5. 各類(lèi)工業(yè)設(shè)備中的功率控制模塊。
　　其廣泛的適應(yīng)性得益于其穩(wěn)健的設(shè)計(jì)和卓越的電氣性能。

替代型號(hào)

IPP045N10N3L G, IRFZ44N, FDP047N10A

ipp045n10n3 g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

ipp045n10n3 g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPx042N10N3 G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝500
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫歐 @ 100A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3.5V @ 150µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs117nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds8410pF @ 50V
  • 功率 - 最大214W
  • 安裝類(lèi)型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)IPP045N10N3GSP000457560SP000680794