IPP041N12N3G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能等優(yōu)�(diǎn)。它廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器和其他需要高效能功率管理的場(chǎng)��
該芯片封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝工�,有助于�(shí)�(xiàn)緊湊型設(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�4.1A
�(dǎo)通電阻:70mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�9nC(典型值)
總電容:660pF(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
功耗:18W(在 TJ=25°C �(shí)�
IPP041N12N3G 的主要特性包括以下:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可顯著降低傳�(dǎo)損�,提高整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,使得其適用于高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(nèi)置反向二極管,用于續(xù)流保�(hù),簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)�
4. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
5. 小巧� DPAK 封裝,節(jié)� PCB 空間,同�(shí)支持高效的散熱管��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
IPP041N12N3G 廣泛�(yīng)用于多種功率�(zhuǎn)換和控制�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS),例如適配器和充電器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)和直流無(wú)刷電�(jī)�
4. 電池保護(hù)和負(fù)載切��
5. 固態(tài)繼電器及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制�
6. 可再生能源系�(tǒng),如太陽(yáng)能微型逆變��
這些�(yīng)用得益于其低 Rds(on) 和快速開(kāi)�(guān)性能,能夠提供更高的效率和更少的熱量�(chǎn)生�
IPP042N12N3G, IPP044N12N3G, IRFZ44N