時間：2025/5/28 19:49:20
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IPL60R650P6S 是一款基于超結(jié)技術(shù)的功率 MOSFET，由 Infineon（英飛凌）生產(chǎn)。該器件主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器和電機驅(qū)動等場景。其采用 TO-Leadless 封裝形式，能夠提供卓越的熱性能和電氣性能。此外，由于其低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)特性，IPL60R650P6S 在高效率和高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
超結(jié)技術(shù)的應(yīng)用使得該器件在高頻工作條件下仍能保持較低的損耗，同時其堅固的設(shè)計保證了較高的可靠性，適用于工業(yè)及消費類電子領(lǐng)域。
最大漏源電壓：650V
連續(xù)漏極電流：60A
導(dǎo)通電阻：65mΩ
柵極電荷：94nC
輸入電容：1680pF
反向恢復(fù)時間：75ns
封裝形式：TO-Leadless
IPL在于提高效率和降低損耗。它采用了先進的超結(jié)技術(shù)，實現(xiàn)了較低的導(dǎo)通電阻與較高的擊穿電壓之間的平衡。此外，該器件的開關(guān)速度較快，有助于減少開關(guān)損耗，并且具備良好的熱穩(wěn)定性。
以下是該芯片的主要特性：
1. 高效的超結(jié)結(jié)構(gòu)，確保低導(dǎo)通電阻的同時維持高耐壓能力。
2. 出色的熱管理能力，得益于 TO-Leadless 封裝形式。
3. 較低的柵極電荷和輸出電荷，從而降低開關(guān)損耗。
4. 緊湊的封裝尺寸，適合空間受限的應(yīng)用場景。
5. 廣泛的工作溫度范圍（-55°C 至 +175°C），適應(yīng)惡劣環(huán)境下的使用需求。
IPL60R650P6S 適用于多種電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的主開關(guān)管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)元件。
3. 逆變器和電機驅(qū)動電路中的功率級組件。
4. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 電動汽車充電設(shè)備中的高頻開關(guān)元件。
憑借其出色的性能和可靠性，IPL60R650P6S 成為眾多高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
IPL60R650P6A, IPL60R650P6S2
