IPL60R365P7 是一款基于先進的溝槽場效應晶體管(Trench Field Effect Transistor)技�(shù)的高壓功率MOSFET。該器件采用 Infineon � OptiMOS? 技�(shù),具有低導通電阻和出色的開�(guān)性能,適合用于高效率、高頻開�(guān)的應用場��
這款 MOSFET 專為工業(yè)和汽車應用設(shè)計,其封裝形式為 PQFN4x4-8,具備良好的散熱特性和緊湊的尺�,非常適合空間受限的�(shè)計環(huán)��
最大漏源電壓:600V
導通電阻:365mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
連續(xù)漏極電流�1.09A(在 Tc=25°C 時)
柵極電荷�3nC(典型值)
反向恢復時間�10ns(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:PQFN4x4-8
IPL60R365P7 具有以下顯著特點�
1. 高耐壓能力,可承受高達 600V 的漏源電壓,適用于高壓系�(tǒng)�
2. 低導通電�,有助于降低導通損耗并提升整體效率�
3. 快速開�(guān)性能,反向恢復時間短,減少了開關(guān)損耗�
4. 小型化封裝設(shè)�,節(jié)省電路板空間�
5. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,可在寬溫范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
6. 符合 AEC-Q101 標準,確保在嚴苛�(huán)境下的可靠運��
IPL60R365P7 廣泛應用于各種需要高效能功率�(zhuǎn)換和控制的場合,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動和逆變器應用�
3. 汽車電子中的負載開關(guān)和保護電��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和控制電路�
5. LED 照明�(qū)動器和其他高頻開�(guān)應用�
IPL60R387P7, IPL60R333P7