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IPL60R199CP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 23:15:54 查看 閱讀�24

IPL60R199CP是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用P-Channel技�(shù)。該器件主要�(yīng)用于高效率的開關(guān)模式電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。其�(yōu)化的�(dǎo)通電阻和柵極電荷特性使其在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  IPL60R199CP基于先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù)制�,能夠提供低�(dǎo)通損耗和快速開�(guān)性能,從而提高了整體系統(tǒng)的效率和可靠�。同�(shí),該器件具備較高的雪崩擊穿能力和熱穩(wěn)定性,適用于嚴(yán)苛的工作�(huán)��

參數(shù)

型號(hào):IPL60R199CP
  類型:P-Channel MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�74A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�199mΩ
  柵極電荷(典型值)�38nC
  開關(guān)頻率:高�(dá)500kHz
  封裝形式:D2PAK (TO-263)
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

IPL60R199CP具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
  3. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下仍能可靠�(yùn)��
  4. 良好的熱性能,適合高功率密度�(shè)�(jì)�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  6. 高電流承載能�,適用于大功率負(fù)載控制�
  這些特性使得IPL60R199CP成為各種高效功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IPL60R199CP廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
  2. 降壓和升壓型DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)電路�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理�
  由于其出色的電氣特性和可靠�,IPL60R199CP非常適合需要高性能和高效率的電力電子應(yīng)��

替代型號(hào)

IPL60R173CP, IPL60R199N3, IRF6645

ipl60r199cp推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipl60r199cp參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPL60R199CP
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C16.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C199 毫歐 @ 9.9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.5V @ 1.1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1520pF @ 100V
  • 功率 - 最�139W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼4-TSFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-VSON-4
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPL60R199CPAUMA1SP000841892