IPL60R085P7是英飛凌(Infineon)推出的一款MOSFET功率晶體�,屬于OptiMOS系列。該器件采用PQFN封裝形式,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于多種開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等應用場景�
其主要設計目的是為了在高頻開�(guān)應用中提供卓越的性能表現(xiàn),同時保持較低的熱損耗。IPL60R085P7的額定電壓為60V,適合用于工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的功率管理部分�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏電流:41A
導通電阻(典型值)�8.5mΩ
柵極電荷(典型值)�28nC
開關(guān)頻率范圍:高�1MHz
工作�(jié)溫范圍:-55°C�175°C
封裝類型:PQFN 5x6
IPL60R085P7具有極低的導通電�,能夠有效減少功率損�,提升系�(tǒng)效率。此�,它的快速開�(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,使得該器件非常適合高頻應用�
由于采用了先進的封裝技�(shù),IPL60R085P7還具備良好的散熱性能,并能在高溫�(huán)境下�(wěn)定運�。同�,其小型化的封裝設計可以節(jié)省PCB空間,有利于緊湊型產(chǎn)品設��
另外,該器件擁有較高的雪崩能力和魯棒�,能夠在異常條件下保護電路不受損�,提高了系統(tǒng)的可靠��
IPL60R085P7廣泛應用于各種功率轉(zhuǎn)換場景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動控�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)自動化設�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的負載切�
憑借其�(yōu)異的性能和可靠�,這款MOSFET成為了眾多工程師在設計高效能功率電路時的首選方案�
IPL60R099P7
IPL60R118P7
IPL60R140P7