時間：2025/5/21 12:56:40
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IPG20N04S4L-07 是一款 N 溝道功率 MOSFET，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特性。該器件適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和其他功率管理應(yīng)用。其額定電壓為 40V，最大持續(xù)漏極電流為 20A，能夠滿足高效能功率轉(zhuǎn)換的需求。
該型號中的“IPG”表示英飛凌（Infineon）的高性能溝槽型 MOSFET 系列，“20”代表其連續(xù)漏極電流能力為 20A，“N”表示 N 溝道類型，“04”表示其額定電壓為 40V，“S4L”則表示其封裝形式及內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點。
最大漏源電壓：40V
最大漏極電流：20A
柵源開啟電壓：2.1V 至 4V
導(dǎo)通電阻（典型值）：3.5mΩ
總柵極電荷：38nC
輸入電容：3900pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
IPG20N04S4L-07 具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可有效降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用。
3. 低柵極電荷 (Qg)，減少了驅(qū)動功耗。
4. 增強的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持良好性能。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保設(shè)計。
6. 可靠性高，抗靜電能力強 (HBM > 2kV)。
7. 小型化封裝，節(jié)省 PCB 空間。
這些特性使得該器件非常適合用于緊湊型設(shè)計和高效率需求的應(yīng)用場景。
IPG20N04S4L-07 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流和主開關(guān)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率級元件。
4. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制。
6. 通信設(shè)備中的功率管理模塊。
由于其低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性，這款 MOSFET 在需要高效能量轉(zhuǎn)換和快速動態(tài)響應(yīng)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
IPB200N04S4L-07, IRFZ44N, FDP18N04L
