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IPDH4N03LAG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 8:49:39 查看 閱讀�20

IPDH4N03LAG 是一款來� Infineon(英飛凌)的 N 溝道功率 MOSFET,采� TOLL 封裝形式。這款器件主要針對高效率和高密度應(yīng)用而設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,適合于服務(wù)�、電信整流器、DC-DC �(zhuǎn)換器等工�(yè)及汽車級�(yīng)��
  該器件結(jié)合了先�(jìn)工藝技�(shù)和封裝優(yōu)�,能夠在高頻開關(guān)條件下保持高效能表現(xiàn),同�(shí)支持更高的電流負(fù)載能��

參數(shù)

型號:IPDH4N03LAG
  品牌:Infineon
  VDS(漏源極電壓):30V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�1.6mΩ(典型�,在 VGS=10V �(shí)�
  IDS(連續(xù)漏極電流):478A
  VGS(柵源極電壓):±20V
  功耗:255W
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝:TOLL

特�

IPDH4N03LAG 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
  2. 支持高達(dá) 478A 的連續(xù)漏極電流,能夠滿足大電流�(yīng)用場景的需求�
  3. 高頻開關(guān)性能,適合用于高� DC-DC �(zhuǎn)換器以及 PFC(功率因�(shù)校正)電路�
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  5. 具備出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. TOLL 封裝形式,簡� PCB �(shè)�(jì)并提供更好的散熱管理�
  7. 提供增強(qiáng)的電氣特性和抗干擾能�,適用于�(yán)苛的工作�(huán)��

�(yīng)�

IPDH4N03LAG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源中的 DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場��
  2. 通信�(shè)備中的整流器和逆變器模塊�
  3. 電動(dòng)汽車(EV)充電基�(chǔ)�(shè)�,例如直流快速充電樁�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路,特別是在高性能工業(yè)自動(dòng)化環(huán)境中�
  5. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源供�(yīng)單元(PSU��
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備�

替代型號

IPD029N03L_G_T1, IPD074N03L_T1

ipdh4n03lag推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ipdh4n03lag資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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ipdh4n03lag參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD,IPSH4N03LA G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C90A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫歐 @ 60A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 40µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3200pF @ 15V
  • 功率 - 最�94W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPDH4N03LAGINTRSP000016407