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IPD90R1K2C3 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 16:50:31 查看 閱讀�12

IPD90R1K2C3是一種基于硅基的功率MOSFET器件,專為高效率和高性能�(yīng)用而設(shè)�。該型號采用先�(jìn)的制程技�(shù),具備低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱性能,適用于各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的電源管理和�(zhuǎn)換場��

參數(shù)

型號:IPD90R1K2C3
  類型:N溝道功率MOSFET
  封裝形式:TO-247
  額定電壓(Vds)�1200V
  額定電流(Id)�90A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.0mΩ(典型值)
  柵極電荷(Qg)�150nC(最大值)
  連續(xù)漏極電流�90A(Tc=25°C�
  功耗:180W(Tc=25°C�
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C

特�

IPD90R1K2C3具有非常低的�(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。同時,其快速的開關(guān)速度能夠有效降低開關(guān)損�,適合高頻開�(guān)�(yīng)�。此外,它采用了堅固的設(shè)計以確保在極端溫度條件下依然保持�(wěn)定運��
  該器件還具有較高的雪崩擊穿能力,可以在過載或短路情況下提供額外的保護(hù)功能。由于其大電流承載能力和高耐壓等級,IPD90R1K2C3非常適合用于工業(yè)電機�(qū)�、太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
  另外,IPD90R1K2C3具備�(yōu)異的熱性能,允許更高的功率密度�(shè)計,并且可以簡化散熱管理方案。其封裝形式支持高效的熱量散�(fā),從而�(jìn)一步增強了整體性能表現(xiàn)�

�(yīng)�

IPD90R1K2C3廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 工業(yè)電機�(qū)動:支持高效控制和調(diào)速,特別適用于高壓環(huán)境下的交流感�(yīng)電機和永磁同步電機驅(qū)��
  2. 太陽能逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)換為交流�,實�(xiàn)高效率的能量�(zhuǎn)��
  3. 不間斷電�(UPS):作為核心功率開�(guān)元件,提供可靠的電力保障�
  4. 電動車充電設(shè)備:支持快速充電站的功率模塊設(shè)��
  5. 開關(guān)電源(SMPS):在高頻開關(guān)場景下提供低損耗的功率�(zhuǎn)換�
  6. 照明�(zhèn)流器:用于高壓鈉燈或其他氣體放電燈的電子�(zhèn)流器�(shè)��

替代型號

IPD80R1K2C3, IPD100R1K2C3, IRGB1406PBF

ipd90r1k2c3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd90r1k2c3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD90R1K2C3
  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 歐姆 @ 2.8A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 310µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs28nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds710pF @ 100V
  • 功率 - 最�83W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD90R1K2C3-NDSP000413720