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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD90N03S4L-02

IPD90N03S4L-02 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 17:37:35 查看 閱讀�23

IPD90N03S4L-02是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為T(mén)O-252(DPAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT)工藝�
  該型�(hào)主要針對(duì)消費(fèi)電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備等�(lǐng)域的電源管理�(yīng)用,能夠滿足�(yán)格的效率和可靠性要��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�90A
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ
  柵極電荷�36nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:典型�27ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

IPD90N03S4L-02具有非常低的�(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  此外,它還具備快速開(kāi)�(guān)能力,能夠在高頻條件下保持較低的�(kāi)�(guān)損��
  器件的高雪崩能量能力和強(qiáng)魯棒性確保了其在�(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  由于采用了優(yōu)化的熱設(shè)�(jì),該MOSFET能夠有效地散�(fā)熱量,從而延�(zhǎng)使用壽命�
  其緊湊的封裝形式使其非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路、電池保�(hù)電路以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)��
  在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)快充模塊,這款MOSFET可以提供高效的功率轉(zhuǎn)��
  工業(yè)�(lǐng)域內(nèi),可用于不間斷電�(UPS)、太�(yáng)能逆變器以及其他需要高可靠性和高效率的電力電子�(shè)��
  此外,在汽車(chē)電子方面,IPD90N03S4L-02也適用于各類�(chē)載充電系�(tǒng)及輔助控制系�(tǒng)�

替代型號(hào)

IRLZ44N
  AO3400
  FDP16N03L

ipd90n03s4l-02推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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ipd90n03s4l-02參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD90N03S4L-02
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C90A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.2 毫歐 @ 90A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 90µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs140nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9750pF @ 25V
  • 功率 - 最�136W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD90N03S4L-02-NDIPD90N03S4L-02TRSP000273284