IPD90N03S4L-02是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為T(mén)O-252(DPAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT)工藝�
該型�(hào)主要針對(duì)消費(fèi)電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備等�(lǐng)域的電源管理�(yīng)用,能夠滿足�(yán)格的效率和可靠性要��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�90A
�(dǎo)通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�36nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:典型�27ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
IPD90N03S4L-02具有非常低的�(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
此外,它還具備快速開(kāi)�(guān)能力,能夠在高頻條件下保持較低的�(kāi)�(guān)損��
器件的高雪崩能量能力和強(qiáng)魯棒性確保了其在�(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
由于采用了優(yōu)化的熱設(shè)�(jì),該MOSFET能夠有效地散�(fā)熱量,從而延�(zhǎng)使用壽命�
其緊湊的封裝形式使其非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路、電池保�(hù)電路以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)��
在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)快充模塊,這款MOSFET可以提供高效的功率轉(zhuǎn)��
工業(yè)�(lǐng)域內(nèi),可用于不間斷電�(UPS)、太�(yáng)能逆變器以及其他需要高可靠性和高效率的電力電子�(shè)��
此外,在汽車(chē)電子方面,IPD90N03S4L-02也適用于各類�(chē)載充電系�(tǒng)及輔助控制系�(tǒng)�
IRLZ44N
AO3400
FDP16N03L