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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD80N04S3-06

IPD80N04S3-06 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 8:48:29 查看 閱讀�23

IPD80N04S3-06 是一款基于硅基技術的高性能功率MOSFET器件,主要應用于高頻開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動和逆變器等領域。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電�、快速開關速度和高可靠性等特點,能夠在高壓�(huán)境下提供高效�(wěn)定的性能�
  該MOSFET為N溝道增強型,封裝形式通常為TO-220或PDFN等常見封裝其�(yōu)化的芯片結構使其能夠承受較高的電�,并在高頻工作條件下保持較低的能量損��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�80A
  導通電阻:3.5mΩ(典型值)
  柵極電荷�11nC(典型值)
  開關時間:ton=9ns,toff=15ns(典型值)
  結溫范圍�-55℃至+175�

特�

1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開關能�,適合高頻應用環(huán)�,可顯著減少開關損��
  3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒性�
  4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,支持長時間高溫運行�
  5. 小尺寸封裝選�,簡化了PCB布局和整體設計復雜度�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)�(guī)��

應用

1. 開關電源(SMPS)中的功率級開關�
  2. 電動工具和家用電器中的無刷直流電機驅��
  3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路�
  4. 新能源領域如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率管理模��
  5. 高效DC-DC轉換器的核心元件�
  6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中涉及的大電流開關需求�

替代型號

IPW80N04S3,IRF840,STP80NF06

ipd80n04s3-06推薦供應� 更多>

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  • 供應�
  • �(shù)�
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ipd80n04s3-06參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD80N04S3-06
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C90A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.2 毫歐 @ 80A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 52µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs47nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3250pF @ 25V
  • 功率 - 最�100W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD80N04S3-06-NDIPD80N04S3-06TRSP000261220