IPD80N04S3-06 是一款基于硅基技術的高性能功率MOSFET器件,主要應用于高頻開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動和逆變器等領域。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電�、快速開關速度和高可靠性等特點,能夠在高壓�(huán)境下提供高效�(wěn)定的性能�
該MOSFET為N溝道增強型,封裝形式通常為TO-220或PDFN等常見封裝其�(yōu)化的芯片結構使其能夠承受較高的電�,并在高頻工作條件下保持較低的能量損��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�80A
導通電阻:3.5mΩ(典型值)
柵極電荷�11nC(典型值)
開關時間:ton=9ns,toff=15ns(典型值)
結溫范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開關能�,適合高頻應用環(huán)�,可顯著減少開關損��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒性�
4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,支持長時間高溫運行�
5. 小尺寸封裝選�,簡化了PCB布局和整體設計復雜度�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)�(guī)��
1. 開關電源(SMPS)中的功率級開關�
2. 電動工具和家用電器中的無刷直流電機驅��
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路�
4. 新能源領域如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率管理模��
5. 高效DC-DC轉換器的核心元件�
6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中涉及的大電流開關需求�
IPW80N04S3,IRF840,STP80NF06