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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD70P04P4L08ATMA2

IPD70P04P4L08ATMA2 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 2:06:59 查看 閱讀�10

IPD70P04P4L08ATMA2是一款N溝道功率MOSFET,采用先進的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特�,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動應(yīng)�。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,有助于提升散熱效率和系�(tǒng)可靠��
  該MOSFET的額定電壓為40V,適合在中等電壓的應(yīng)用場景下工作,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電池管理系�(tǒng)(BMS)以及電信和工業(yè)�(shè)備中的功率管理模��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�70A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�31nC
  開關(guān)速度:快�
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�
  封裝形式:TO-263

特�

IPD70P04P4L08ATMA2具備以下顯著特點�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以有效降低傳�(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 高電流處理能�,支持高�70A的連續(xù)漏極電流,確保在大電流應(yīng)用中的穩(wěn)定運行�
  3. 快速開�(guān)性能,得益于較低的柵極電荷(Qg�,可減少開關(guān)損耗并提升高頻�(yīng)用的表現(xiàn)�
  4. 良好的熱性能,結(jié)合TO-263封裝的高散熱能力,能夠承受更高的�(jié)溫,增強系統(tǒng)的可靠性和壽命�
  5. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種嚴苛�(huán)境下的應(yīng)用需��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的法規(guī)要求�

�(yīng)�

該功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換和控制�
  2. 電動工具及家用電器的電機�(qū)動電路�
  3. 電信�(shè)備中的負載開�(guān)和保護電��
  4. 新能源汽車和儲能系統(tǒng)的電池管理與保護�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和分��
  6. 各類高效能DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器的�(shè)計�

替代型號

IPD90P04P4L08ATMA1, IRFZ44N, FDP15U20AE

ipd70p04p4l08atma2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd70p04p4l08atma2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �13.83000剪切帶(CT�2,500 : �6.32189卷帶(TR�
  • 系列OptiMOS?-P2
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)70A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)7.8 毫歐 @ 70A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.2V @ 120μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)92 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+5V�-16V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)5430 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)75W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TO252-3-313
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63