IPD70P04P4L08ATMA2是一款N溝道功率MOSFET,采用先進的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特�,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動應(yīng)�。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,有助于提升散熱效率和系�(tǒng)可靠��
該MOSFET的額定電壓為40V,適合在中等電壓的應(yīng)用場景下工作,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電池管理系�(tǒng)(BMS)以及電信和工業(yè)�(shè)備中的功率管理模��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�70A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�31nC
開關(guān)速度:快�
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝形式:TO-263
IPD70P04P4L08ATMA2具備以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以有效降低傳�(dǎo)損�,提高整體效��
2. 高電流處理能�,支持高�70A的連續(xù)漏極電流,確保在大電流應(yīng)用中的穩(wěn)定運行�
3. 快速開�(guān)性能,得益于較低的柵極電荷(Qg�,可減少開關(guān)損耗并提升高頻�(yīng)用的表現(xiàn)�
4. 良好的熱性能,結(jié)合TO-263封裝的高散熱能力,能夠承受更高的�(jié)溫,增強系統(tǒng)的可靠性和壽命�
5. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種嚴苛�(huán)境下的應(yīng)用需��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的法規(guī)要求�
該功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換和控制�
2. 電動工具及家用電器的電機�(qū)動電路�
3. 電信�(shè)備中的負載開�(guān)和保護電��
4. 新能源汽車和儲能系統(tǒng)的電池管理與保護�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和分��
6. 各類高效能DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器的�(shè)計�
IPD90P04P4L08ATMA1, IRFZ44N, FDP15U20AE