IPD650P06NM是一款高性能的功率MOSFET,采用先�(jìn)的制造工�,專(zhuān)為需要高效率和低功耗的�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件適用于直�-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式為T(mén)O-252(DPAK�,具備良好的散熱性能�
IPD650P06NM具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)特�,這使其在高頻工作條件下表�(xiàn)出色。此外,該器件還具有較高的雪崩耐量能力,能夠在異常情況下提供額外的保護(hù)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�6.5A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�19nC
反向恢復(fù)�(shí)間:38ns
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低�(dǎo)通損�,提高整體效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損耗,非常適合高頻�(yīng)��
3. 具備�(qiáng)大的雪崩能力和穩(wěn)健的�(shè)�(jì),確保在惡劣�(huán)境下可靠�(yùn)行�
4. 小型化的TO-252封裝,有助于節(jié)省PCB空間并提升熱性能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代化生產(chǎn)需��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
3. �(fù)載開(kāi)�(guān)
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
5. 工業(yè)控制及保�(hù)電路
6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的電源管理模塊
IRF650N
IXYS IXFN65P04T2
ON Semiconductor NTMFS5C628NL