IPD50N10S3L-16 是一� N 溝道功率 MOSFET,屬� STMicroelectronics � MDmesh? M6 系列。該器件采用 SuperSO8 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點,適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用�
該系� MOSFET 在效率和散熱性能方面表現(xiàn)出色,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需��
型號:IPD50N10S3L-16
封裝:SuperSO8
Vds (漏源極電�)�100V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.2mΩ @ Vgs=10V
Id(連續(xù)漏極電流):50A
Qg(柵極電荷)�47nC
EAS(雪崩能量)�1.5J
fsw(開�(guān)頻率):支持高達(dá) 1MHz
Vgs(柵源電壓):�20V
Tj(結(jié)溫范圍)�-55°C � +175°C
IPD50N10S3L-16 提供了卓越的�(dǎo)通效率和動態(tài)性能,其主要特性如下:
1. 極低� Rds(on),在高電流應(yīng)用中可顯著降低導(dǎo)通損耗�
2. 高雪崩能力和�(wěn)健�,確保在異常條件下仍能正常工��
3. 快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損耗并提升了高頻應(yīng)用中的效��
4. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,簡化了�(qū)動電路的�(shè)計并降低了驅(qū)動功��
5. 小型 SuperSO8 封裝,適合空間受限的�(yīng)用場��
6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
這些特性使� IPD50N10S3L-16 成為高性能功率�(zhuǎn)換和電機控制�(yīng)用的理想選擇�
IPD50N10S3L-16 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的橋臂開�(guān)�
4. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. LED �(qū)動器中的功率開關(guān)�
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率路徑管��
這款 MOSFET 憑借其出色的性能表現(xiàn),能夠滿足多種工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的功率需��
IPD50N10S3L-11, IPP50N10S3L-11, IXTT50N10S3L