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IPD50N10S3L-16 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 14:15:43 查看 閱讀�23

IPD50N10S3L-16 是一� N 溝道功率 MOSFET,屬� STMicroelectronics � MDmesh? M6 系列。該器件采用 SuperSO8 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高雪崩能力的特點,適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用�
  該系� MOSFET 在效率和散熱性能方面表現(xiàn)出色,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需��

參數(shù)

型號:IPD50N10S3L-16
  封裝:SuperSO8
  Vds (漏源極電�)�100V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.2mΩ @ Vgs=10V
  Id(連續(xù)漏極電流):50A
  Qg(柵極電荷)�47nC
  EAS(雪崩能量)�1.5J
  fsw(開�(guān)頻率):支持高達(dá) 1MHz
  Vgs(柵源電壓):�20V
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55°C � +175°C

特�

IPD50N10S3L-16 提供了卓越的�(dǎo)通效率和動態(tài)性能,其主要特性如下:
  1. 極低� Rds(on),在高電流應(yīng)用中可顯著降低導(dǎo)通損耗�
  2. 高雪崩能力和�(wěn)健�,確保在異常條件下仍能正常工��
  3. 快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損耗并提升了高頻應(yīng)用中的效��
  4. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,簡化了�(qū)動電路的�(shè)計并降低了驅(qū)動功��
  5. 小型 SuperSO8 封裝,適合空間受限的�(yīng)用場��
  6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  這些特性使� IPD50N10S3L-16 成為高性能功率�(zhuǎn)換和電機控制�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IPD50N10S3L-16 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
  3. 電機�(qū)動電路中的橋臂開�(guān)�
  4. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. LED �(qū)動器中的功率開關(guān)�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率路徑管��
  這款 MOSFET 憑借其出色的性能表現(xiàn),能夠滿足多種工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的功率需��

替代型號

IPD50N10S3L-11, IPP50N10S3L-11, IXTT50N10S3L

ipd50n10s3l-16推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd50n10s3l-16參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD50N10S3L-16
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫歐 @ 50A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 60µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs64nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4180pF @ 25V
  • 功率 - 最�100W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD50N10S3L-16-NDIPD50N10S3L-16TRSP000386185