IPD50N04S3-08是一款N溝道MOSFET功率晶體�,專(zhuān)為高效率、低損耗的�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于多種電源管理和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
該型�(hào)屬于Infineon Technologies(英飛凌科技)旗下的�(chǎn)品系�,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽�(chē)和消�(fèi)電子�(lǐng)��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.6mΩ
柵極電荷�72nC
輸入電容�2120pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
IPD50N04S3-08具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,適合大功率�(yīng)��
3. �(yōu)化的�(kāi)�(guān)性能,降低了�(kāi)�(guān)損耗并提升了整體能��
4. 極高的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持可靠�(yùn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局和散熱管��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備要��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
4. 汽車(chē)電子系統(tǒng),例如電�(dòng)助力�(zhuǎn)向(EPS)和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
6. 各種需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)��
IPW50N04S3-08, IRFH5004TRPBF, FDP5020N