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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD50N04S3-08

IPD50N04S3-08 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 20:07:19 查看 閱讀�28

IPD50N04S3-08是一款N溝道MOSFET功率晶體�,專(zhuān)為高效率、低損耗的�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于多種電源管理和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
  該型�(hào)屬于Infineon Technologies(英飛凌科技)旗下的�(chǎn)品系�,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽�(chē)和消�(fèi)電子�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.6mΩ
  柵極電荷�72nC
  輸入電容�2120pF
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

IPD50N04S3-08具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,適合大功率�(yīng)��
  3. �(yōu)化的�(kāi)�(guān)性能,降低了�(kāi)�(guān)損耗并提升了整體能��
  4. 極高的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持可靠�(yùn)��
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局和散熱管��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備要��

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  4. 汽車(chē)電子系統(tǒng),例如電�(dòng)助力�(zhuǎn)向(EPS)和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  6. 各種需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IPW50N04S3-08, IRFH5004TRPBF, FDP5020N

ipd50n04s3-08推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ipd50n04s3-08資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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ipd50n04s3-08參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD50N04S3-08
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 40µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2350pF @ 25V
  • 功率 - 最�68W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線(xiàn)+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IPD50N04S3-08-NDIPD50N04S3-08TRSP000261218