IPD49CN10NG是一款高壓MOSFET器件,采用TO-220封裝形式。該芯片主要用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)特點(diǎn)在于高耐壓能力、低�(dǎo)通電阻以及優(yōu)秀的開�(guān)性能�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,能夠承受較高的漏源電壓,并具備快速的開關(guān)速度,從而減少開�(guān)損耗并提高整體效率�
型號(hào):IPD49CN10NG
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:TO-220
漏源極電�(Vds)�650V
柵源極電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�350mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
功�(Ptot)�125W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
IPD49CN10NG具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電�(650V),適合用于高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電�(350mΩ),減少了傳導(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能,可有效降低開關(guān)損耗�
4. TO-220封裝提供良好的散熱性能,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
5. 寬廣的工作溫度范�(-55℃至+175�),適用于各種�(yán)苛環(huán)境條��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
這些特性使得該器件在需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
IPD49CN10NG主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):如適配器、充電器��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):包括直流無刷電�(jī)控制、步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)��
3. 逆變器:太陽能逆變�、不間斷電源(UPS)中的核心元件�
4. LED�(qū)�(dòng):大功率LED照明�(shè)備中的開�(guān)組件�
5. 工業(yè)自動(dòng)化:各類工業(yè)控制�(shè)備及電力電子�(zhuǎn)換裝置�
其高�、高效的特點(diǎn)使其成為眾多功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
IPB40R04P7, IRF840, STP10NK60Z