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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD33CN10N G

IPD33CN10N G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 18:13:53 查看 閱讀�26

IPD33CN10N G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體管,采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,適用于各種高效率功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
  該器件通常�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率管理的�(chǎng)景中。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的設(shè)�(jì)中使��

參數(shù)

最大漏源極電壓�60V
  連續(xù)漏極電流�7.4A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8mΩ
  柵極電荷(典型值)�12nC
  總電容(輸入電容):590pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損�,提升效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操�,滿足現(xiàn)代電源設(shè)�(jì)需��
  3. 高擊穿電壓保證了器件在高壓環(huán)境下的可靠��
  4. 小型化封裝節(jié)� PCB 空間,適合便攜式�(shè)備和其他緊湊型應(yīng)��
  5. �(yōu)異的熱性能和電氣性能,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且兼容�(wú)鉛焊接工藝�

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(qū)�(dòng)元件�
  3. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路中的�(guān)鍵組��
  4. 充電�、適配器以及其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理單元�
  5. 工業(yè)控制和汽車電子中的高效功率轉(zhuǎn)換模��

替代型號(hào)

IPB014N06L-02, IRFZ44N, FDN337N

ipd33cn10n g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd33cn10n g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx33-35CN10N G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C27A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫歐 @ 27A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 29µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1570pF @ 50V
  • 功率 - 最�58W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000096458