IPD30N03S4L-09是一款由英飛凌(Infineon)推出的N溝道功率MOSFET,采用PDFN封裝形式。該器件主要針對(duì)低電�、高效能的應(yīng)用場(chǎng)合設(shè)�(jì),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�。它廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(lǐng)域的電源管理電路中�
該芯片特別適合用于負(fù)載開(kāi)�(guān)、同步整流器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)�。其出色的電氣性能使其能夠在高效率和高密度的設(shè)�(jì)中發(fā)揮重要作用�
型號(hào):IPD30N03S4L-09
封裝:PDFN5x6-8L
額定電壓�30V
額定電流�12A
�(dǎo)通電阻:0.85mΩ
柵極電荷�10nC
最大功耗:1.2W
工作溫度范圍�-55℃至175�
存儲(chǔ)溫度范圍�-65℃至150�
IPD30N03S4L-09具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅�0.85mΩ,有助于降低�(dǎo)通損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,柵極電荷低�10nC,可減少�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損��
3. 高結(jié)溫能力,最高可�(dá)175�,增�(qiáng)了器件在極端�(huán)境下的可靠性�
4. 小型化PDFN封裝,節(jié)省PCB空間,非常適合緊湊型�(shè)�(jì)�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
6. 支持高頻�(kāi)�(guān)操作,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
7. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�(jì),確保散熱性能�(yōu)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電源適配器和充電器�
2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載控��
3. 同步整流電路,特別是在DC-DC�(zhuǎn)換器��
4. 電池保護(hù)與管理系�(tǒng)(BMS)�
5. �(fù)載開(kāi)�(guān)及過(guò)流保�(hù)電路�
6. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電源模��
由于其卓越的性能,IPD30N03S4L-09成為許多高性能、低功耗應(yīng)用的理想選擇�
IPD20N03S4L-09, IPD40N03S4L-09