IPD25DP06NM 是一款基于硅基的 N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高效率等特�,適用于多種電源管理�(yīng)用。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝器� (SMD),適合高密度電路�(shè)�(jì)。這種功率 MOSFET 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池保護(hù)電路��
這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高性能的同�(shí)兼顧低成�,因此在消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備領(lǐng)域有廣泛�(yīng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�25A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�75nC(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:30ns(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263 (DPAK)
IPD25DP06NM 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,使其非常適合高頻開�(guān)電源和其他高頻應(yīng)��
3. 高額定電流與出色的熱性能,確保器件能夠在苛刻條件下穩(wěn)定運(yùn)��
4. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于減少整體解決方案的體積和重量�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)元件�
2. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,例� USB 充電器和適配��
3. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)器和逆變��
4. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng) (BMS)�
5. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效電源轉(zhuǎn)換模��
6. 多種便攜式設(shè)備和家用電器的功率控制部��
IRLZ44N, FDP25N06L, AO3400