IPD200N15N3G是一款高性能的MOSFET功率晶體�,由Infineon Technologies(英飛凌科技)生�。該器件屬于CoolMOS系列,采用N溝道增強型技術設�,主要適用于高頻開關應用和功率轉換電�。其出色的開關特性和較低的導通電阻使得該器件在電源管理、電機驅動以及電信設備等場景中表�(xiàn)�(yōu)��
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�200A
導通電阻:4.6mΩ(典型�,VGS=10V時)
柵極電荷�85nC(最大�,VDS=150V,ID=100A時)
開關頻率:高�1MHz
結溫范圍�-55℃至175�
封裝形式:G-TOP-289-2
IPD200N15N3G具有非常低的導通電�,能夠在高電流條件下提供高效的功率轉�,減少能量損��
其優(yōu)化的柵極電荷設計使其具備快速的開關速度,從而降低開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
該器件支持較高的工作溫度范圍,能夠適應惡劣的工作�(huán)��
內置反向恢復二極管,進一步提升性能并簡化電路設��
采用了先進的溝槽式MOSFET技術,確保了更高的可靠性和�(wěn)定��
該芯片廣泛應用于各種高功率密度的場合,包括但不限于服務器電源、通信基站電源、不間斷電源(UPS�、工�(yè)逆變�、焊接設�、電機驅動控制以及電動汽車充電站等。此�,它還適用于DC-DC轉換�、PFC(功率因�(shù)校正)電路以及其他需要高效功率管理的領域�
IPD150N15N3G, IPW200N15N3G