IPD19DP10NMATMA1 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù)以提高散熱性能,并具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)。這種晶體管適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及射頻功率放大器等場(chǎng)��
型號(hào):IPD19DP10NMATMA1
類型:增�(qiáng)型功率晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電�(V_DS)�600V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�10A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�15mΩ
柵極電荷(Q_g)�80nC
反向恢復(fù)�(shí)�(t_rr)�<10ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
IPD19DP10NMATMA1 晶體管具備以下特�(diǎn)�
1. 高效的氮化鎵 (GaN) 材料使其擁有較低的導(dǎo)通電阻和更高的開�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)��
2. �(nèi)部集成保�(hù)電路,防止過(guò)壓和�(guò)流情況下的損��
3. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了熱傳�(dǎo)路徑,從而提高了�(zhǎng)期運(yùn)行的可靠��
4. 快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,提升了整體系統(tǒng)效率�
5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
6. 具備�(yōu)異的抗電磁干擾能�,非常適合射頻功率放大器中的使用�
這款功率晶體管主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 通信�(shè)備中的射頻功率放大器�
2. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器和AC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 新能源汽車中的車載充電器和逆變��
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的高頻開�(guān)電源�
5. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器的高效電源管理系統(tǒng)�
6. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高效率功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
IPD19DP10NMA, IPD19DP12NMATMA1, IPD18DP10NMATMA1