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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPD19DP10NMATMA1

IPD19DP10NMATMA1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 18:25:29 查看 閱讀�20

IPD19DP10NMATMA1 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù)以提高散熱性能,并具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)。這種晶體管適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及射頻功率放大器等場(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):IPD19DP10NMATMA1
  類型:增�(qiáng)型功率晶體管
  材料:氮化鎵 (GaN)
  最大漏源電�(V_DS)�600V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  連續(xù)漏極電流(I_D)�10A
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�15mΩ
  柵極電荷(Q_g)�80nC
  反向恢復(fù)�(shí)�(t_rr)�<10ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

IPD19DP10NMATMA1 晶體管具備以下特�(diǎn)�
  1. 高效的氮化鎵 (GaN) 材料使其擁有較低的導(dǎo)通電阻和更高的開�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)��
  2. �(nèi)部集成保�(hù)電路,防止過(guò)壓和�(guò)流情況下的損��
  3. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了熱傳�(dǎo)路徑,從而提高了�(zhǎng)期運(yùn)行的可靠��
  4. 快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,提升了整體系統(tǒng)效率�
  5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
  6. 具備�(yōu)異的抗電磁干擾能�,非常適合射頻功率放大器中的使用�

�(yīng)�

這款功率晶體管主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 通信�(shè)備中的射頻功率放大器�
  2. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器和AC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 新能源汽車中的車載充電器和逆變��
  4. 工業(yè)控制�(shè)備中的高頻開�(guān)電源�
  5. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器的高效電源管理系統(tǒng)�
  6. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高效率功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IPD19DP10NMA, IPD19DP12NMATMA1, IPD18DP10NMATMA1

ipd19dp10nmatma1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd19dp10nmatma1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,500�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �12.08000剪切帶(CT�2,500 : �5.13265卷帶(TR�
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2.6A(Ta�� 13.7A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)186 毫歐 @ 12A� 10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 1.04mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2000 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3W(Ta��83W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TO252-3
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63