IPD180N10N3 G是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于高效率開關應�。該器件采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和�(yōu)異的開關性能,適合用于各種功率轉(zhuǎn)換電��
這款MOSFET廣泛應用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關以及電池管理等領域。其封裝形式為TO-220,便于散熱和安裝�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導通電�,能夠有效降低功率損��
2. 高雪崩能�,增強了器件在異常情況下的耐用性�
3. 快速開關特�,適合高頻應用環(huán)��
4. 具有良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)正常工作�
5. 封裝設計�(yōu)化了散熱性能,確保長時間運行時的�(wěn)定��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率控制器��
4. 各類負載開關應用�
5. 電池保護和管理系�(tǒng)中的關鍵組件�
6. 工業(yè)自動化設備中的功率級控制元件�
IPD150N10N3 G, IPB150N10N3 G