日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD180N10N3 G

IPD180N10N3 G 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 14:13:31 查看 閱讀�31

IPD180N10N3 G是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于高效率開關應�。該器件采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和�(yōu)異的開關性能,適合用于各種功率轉(zhuǎn)換電��
  這款MOSFET廣泛應用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關以及電池管理等領域。其封裝形式為TO-220,便于散熱和安裝�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�18A
  導通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 極低的導通電�,能夠有效降低功率損��
  2. 高雪崩能�,增強了器件在異常情況下的耐用性�
  3. 快速開關特�,適合高頻應用環(huán)��
  4. 具有良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)正常工作�
  5. 封裝設計�(yōu)化了散熱性能,確保長時間運行時的�(wěn)定��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�

應用

1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率控制器��
  4. 各類負載開關應用�
  5. 電池保護和管理系�(tǒng)中的關鍵組件�
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率級控制元件�

替代型號

IPD150N10N3 G, IPB150N10N3 G

ipd180n10n3 g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd180n10n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD180N10N3 G
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C43A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫歐 @ 33A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 33µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 50V
  • 功率 - 最�71W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD180N10N3 G-NDSP000482438