IPD15N06S2L-64 是一款高性能� N 溝道功率 MOSFET,采� SuperSO8 封電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開關以及電機驅(qū)動等領域。其�(yōu)化的柵極電荷和導通電阻特性使其在高頻應用中表�(xiàn)出色。此外,它具有低反向恢復電荷 (Qrr) 的特�,有助于減少開關損耗�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻:3.9mΩ
柵極電荷�27nC
總柵極電荷:35nC
反向恢復電荷�30nC
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
IPD15N06S2L-64 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),可降低傳導損��
2. �(yōu)化的柵極電荷 (Qg),提高了開關性能并降低了開關損耗�
3. 快速的反向恢復時間 (trr),適合高頻應��
4. 超小� SuperSO8 封裝設計,能夠提供出色的散熱性能�
5. 高雪崩能�,增強了器件在異常條件下的耐用��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
該芯片適用于多種電力電子應用領域,包括但不限于以下場景:
1. 開關電源 (SMPS) 中的主開關管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的負載開關或保護開關�
4. 電機�(qū)動電路中的功率開關元��
5. 各類工業(yè)控制設備中的功率級模塊�
IPB15N06S2L-64, IPD14N06S2L-64