IPD122N10N3 G 是一款高性能� N 沃特型功率場效應(yīng)晶體� (N-Channel Power MOSFET),廣泛應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場�。該器件采用先進的溝槽式技�(shù)制�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠在高頻�(yīng)用中實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
這款 MOSFET 的封裝形式為 DPAK (TO-252),具有出色的散熱性能和緊湊的�(shè)�,適合于空間受限的應(yīng)用場��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�168A
�(dǎo)通電阻:1.7mΩ
柵極電荷�49nC
開關(guān)頻率:高� 1MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,適合高頻應(yīng)用�
3. 高雪崩能�,增強在異常情況下的耐用��
4. 緊湊� DPAK 封裝,提供良好的散熱性能�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
6. 具有較高的電流承載能力,支持大功率設(shè)��
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 各類電機�(qū)動和控制電路�
3. 負載開關(guān)和保護電��
4. 太陽能逆變器和工業(yè)電源模塊�
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
6. 汽車電子中的高可靠性功率切換應(yīng)��
IPD110N10N3G, IPD130N10N3G, IRFZ44N