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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD122N10N3 G

IPD122N10N3 G 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 5:53:51 查看 閱讀�14

IPD122N10N3 G 是一款高性能� N 沃特型功率場效應(yīng)晶體� (N-Channel Power MOSFET),廣泛應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場�。該器件采用先進的溝槽式技�(shù)制�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠在高頻�(yīng)用中實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
  這款 MOSFET 的封裝形式為 DPAK (TO-252),具有出色的散熱性能和緊湊的�(shè)�,適合于空間受限的應(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�168A
  �(dǎo)通電阻:1.7mΩ
  柵極電荷�49nC
  開關(guān)頻率:高� 1MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高雪崩能�,增強在異常情況下的耐用��
  4. 緊湊� DPAK 封裝,提供良好的散熱性能�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
  6. 具有較高的電流承載能力,支持大功率設(shè)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 各類電機�(qū)動和控制電路�
  3. 負載開關(guān)和保護電��
  4. 太陽能逆變器和工業(yè)電源模塊�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
  6. 汽車電子中的高可靠性功率切換應(yīng)��

替代型號

IPD110N10N3G, IPD130N10N3G, IRFZ44N

ipd122n10n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipd122n10n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD122N10N3 G
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C59A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.2 毫歐 @ 46A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 46µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 50V
  • 功率 - 最�94W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPD122N10N3 G-NDSP000485966