IPD11DP10NM是一款高性能的雙通道N溝道MOSFET功率集成器件,專為需要高效率和低功耗的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能。它廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)��
型號(hào):IPD11DP10NM
類型:雙通道N溝道MOSFET
封裝:SO-8
VDS(漏源電壓)�30V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�15mΩ(典型��25°C�
ID(連續(xù)漏電流)�10A
Qg(柵極電荷)�10nC
fT(特征頻率)�460MHz
VGS(th)(閾值電壓)�1.8V
Ptot(總功率耗散):1.2W
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
IPD11DP10NM具有以下主要特性:
1. 雙通道�(shè)�(jì),適合多路電源管理應(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操作以提升效率�
4. 小型化SO-8封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 高可靠�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
該器件適用于多種�(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
2. USB充電端口保護(hù)電路�
3. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的信號(hào)切換�
5. 通信基站中的電源管理和保�(hù)電路�
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)的電源分配網(wǎng)�(luò)�
IPD09DP10NM
IPB124N03L4
IRLR7843TRPBF