IPD100N06S4-03是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,適合用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(yīng)用場�。其額定電壓�60V,能夠提供高�100A的連續(xù)漏極電流�
最大漏源電壓:60V
最大漏極電流:100A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ(典型值)
柵極電荷�85nC(典型值)
開關(guān)時間:ton=15ns,toff=25ns(典型值)
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
IPD100N06S4-03采用了先進的工藝技�(shù)制�,具備以下特點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,能夠有效減少開�(guān)損耗�
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常工作條件下的可靠��
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于廣泛的工業(yè)�(lǐng)��
5. 良好的熱性能,支持長時間�(wěn)定運��
該功率MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,例如AC-DC適配器和充電器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,在汽車電子和通信�(shè)備中常見�
3. 電機�(qū)動電�,如家用電器和工�(yè)自動化中的無刷直流電機控制�
4. 能量回收系統(tǒng)以及太陽能逆變器中的功率管理模��
5. 各種保護電路,如過流保護和負(fù)載切換電��
IRLB8729PBF, STP100N06HD, FDP157N06A